半导体处理腔、半导体处理设备及气相外延设备

专利号：CN202210410373.0

公布日：2023-10-27

申请人：中微半导体设备（上海）股份有限公司

一种基片处理装置及腔室内衬

专利号：CN202210410374.5

公布日：2023-10-27

申请人：中微半导体设备（上海）股份有限公司

一种C/SiC复合材料基底薄膜传感器用绝缘层及其制备方法

专利号：CN202310810203.6

公布日：2023-10-27

申请人：电子科技大学

成膜装置和成膜方法

专利号：CN202310088366.8

公布日：2023-10-27

申请人：铠侠股份有限公司

一种提高ALD膜厚均匀性的方法

专利号：CN202311221317.3

公布日：2023-10-27

申请人：无锡松煜科技有限公司

半导体工艺设备的进气装置及半导体工艺设备

专利号：CN202210610330.7

公布日：2023-10-27

申请人：北京北方华创微电子装备有限公司

沉积炉管内管、沉积炉管以及沉积方法

专利号：CN201911294112.1

公布日：2023-10-27

申请人：芯恩（青岛）集成电路有限公司

薄膜沉积装置

专利号：CN202321020771.8

公布日：2023-10-27

申请人：无锡金源半导体科技有限公司

化学气相沉积设备

专利号：CN202321318607.5

公布日：2023-10-27

申请人：芯恩（青岛）集成电路有限公司

一种化学气相沉积炉用导气装置

专利号：CN202321353900.5

公布日：2023-10-27

申请人：内蒙古栢特新材料科技有限公司

一种用于原子层沉积加工的上下料装置

专利号：CN202320943094.0

公布日：2023-10-27

申请人：南京工程学院

处理设备、镀膜设备、调整件及处理方法

专利号：CN202310878200.6

公布日：2023-10-24

申请人：江苏微导纳米科技股份有限公司

成膜装置、成膜方法、氧化镓膜及层叠体

专利号：CN202280019526.7

公布日：2023-10-24

申请人：信越化学工业株式会社

一种纵长形反应腔体及其化学气相沉积装置

专利号：CN202210349977.9

公布日：2023-10-24

申请人：中微半导体设备（上海）股份有限公司

原子层沉积装置和原子层沉积方法

专利号：CN202210319589.6

公布日：2023-10-24

申请人：前微科技（上海）有限公司