一种半导体激光清洗机

专利号：CN202310949963.5

公布日：2023-10-27

申请人：苏州亚信华电子科技有限公司

一种电化学氧化法去除硅晶圆表面污染物的工艺

专利号：CN202310951606.2

公布日：2023-10-27

申请人：安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司

基片处理方法和基片处理装置

专利号：CN202280019898.X

公布日：2023-10-27

申请人：东京毅力科创株式会社

一种调试片体制作方法、调试片体及调试方法

专利号：CN202310851901.0

公布日：2023-10-27

申请人：无锡奥特维科技股份有限公司

线性化膜氧化生长方法

专利号：CN202280012665.7

公布日：2023-10-27

申请人：应用材料公司

用于高模数ALD SiO2

专利号：CN202310644592.X

公布日：2023-10-27

申请人：朗姆研究公司

用于承载压印材料的基板、其制造方法以及压印方法

专利号：CN202210397529.6

公布日：2023-10-27

申请人：镭亚股份有限公司;镭亚电子（苏州）有限公司

一种晶圆及其制备方法

专利号：CN202311067864.0

公布日：2023-10-27

申请人：中环领先半导体材料有限公司

一种β-Ga2

专利号：CN202211645490.1

公布日：2023-10-27

申请人：郑州大学

硅基介电膜的沉积

专利号：CN202280019935.7

公布日：2023-10-27

申请人：应用材料公司

一种晶圆及其制备方法

专利号：CN202311066746.8

公布日：2023-10-27

申请人：中环领先半导体材料有限公司

半导体器件及其制备方法、图案化方法

专利号：CN202210405439.7

公布日：2023-10-27

申请人：芯恩（青岛）集成电路有限公司

使用纳米颗粒形成超晶格结构的方法

专利号：CN202310449981.7

公布日：2023-10-27

申请人：ASM IP私人控股有限公司

一种有序半导体量子点制备方法及装置

专利号：CN202210277178.5

公布日：2023-10-27

申请人：苏州大学

工件处理方法、工件处理设备及半导体器件

专利号：CN202211669619.2

公布日：2023-10-27

申请人：北京屹唐半导体科技股份有限公司