半导体器件

专利号：CN202310319970.7

公布日：2023-10-27

申请人：瑞萨电子株式会社

多堆叠半导体器件及其制造方法

专利号：CN202310442722.1

公布日：2023-10-27

申请人：三星电子株式会社

具有通路结构的半导体器件及其制造方法

专利号：CN202310467107.6

公布日：2023-10-27

申请人：三星电子株式会社

一种二维半导体垂直场效应晶体管阵列及其制备方法

专利号：CN202311204378.9

公布日：2023-10-27

申请人：北京大学

多堆叠半导体器件和制造其的方法

专利号：CN202310454111.9

公布日：2023-10-27

申请人：三星电子株式会社

半导体结构及其形成方法

专利号：CN202210366213.0

公布日：2023-10-24

申请人：中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

半导体结构及其形成方法

专利号：CN201910153800.X

公布日：2023-10-24

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

用于在中和的功率FET上方分配电导体的方法和系统

专利号：CN202310428532.4

公布日：2023-10-20

申请人：新时代电力系统有限公司

具有连接的鳍片末端的垂直鳍式场效应晶体管(FinFET)

专利号：CN202310428428.5

公布日：2023-10-20

申请人：新时代电力系统有限公司

半导体器件

专利号：CN202310306078.5

公布日：2023-10-20

申请人：三星电子株式会社

半导体装置

专利号：CN202310400077.7

公布日：2023-10-20

申请人：三星电子株式会社

半导体器件及其制备方法

专利号：CN202310933965.5

公布日：2023-10-20

申请人：北京元芯碳基集成电路研究院

半导体结构及其形成方法

专利号：CN202010146850.8

公布日：2023-10-20

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

多堆叠半导体器件

专利号：CN202310377089.2

公布日：2023-10-17

申请人：三星电子株式会社

半导体结构及其形成方法

专利号：CN202180094242.X

公布日：2023-10-17

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司