包含体育场结构的微电子装置及相关的存储器装置和电子系统

专利号：CN202180028999.9

公布日：2022-12-30

申请人：美光科技公司

包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法

专利号：CN202180034733.5

公布日：2022-12-30

申请人：美光科技公司

半导体存储器装置

专利号：CN202210040821.2

公布日：2022-12-30

申请人：铠侠股份有限公司

半导体存储器装置及其制造方法

专利号：CN202210093821.9

公布日：2022-12-30

申请人：爱思开海力士有限公司

半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法

专利号：CN202210268248.0

公布日：2022-12-30

申请人：爱思开海力士有限公司

集成电路器件

专利号：CN202210340041.X

公布日：2022-12-30

申请人：三星电子株式会社

三维存储装置及其制作方法

专利号：CN202110738700.0

公布日：2022-12-30

申请人：长江存储科技有限责任公司

闪存器件的制作方法

专利号：CN202211196893.2

公布日：2022-12-30

申请人：华虹半导体（无锡）有限公司

存储器件的ILD淀积工艺方法

专利号：CN202211344400.5

公布日：2022-12-27

申请人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司

增大闪存器件ILD填充工艺窗口的方法

专利号：CN202211165379.2

公布日：2022-12-27

申请人：华虹半导体（无锡）有限公司

半导体存储器装置

专利号：CN202210154268.5

公布日：2022-12-27

申请人：铠侠股份有限公司

记忆体单元、记忆体装置和其形成方法

专利号：CN202210187037.4

公布日：2022-12-27

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

记忆体装置及其制造方法

专利号：CN202210548119.7

公布日：2022-12-27

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

改善字线多晶硅层研磨后硬掩模层厚度均匀性的方法

专利号：CN202211246952.2

公布日：2022-12-27

申请人：华虹半导体（无锡）有限公司

半导体装置和包括其的数据存储系统

专利号：CN202210692352.2

公布日：2022-12-27

申请人：三星电子株式会社