一种具有高的氟含量的氟化氮化碳的制备方法

专利号：CN202010124075.6

公布日：2020-06-19

申请人：广西师范大学

一种二氟化氙生产装置

专利号：CN202120354593.7

公布日：2021-11-09

申请人：山东重山光电材料股份有限公司

一种二氧化二氧化硅牺牲层释放系统

专利号：CN200920350781.1

公布日：2011-02-02

申请人：中国科学院微电子研究所

一种高纯氪氙的提纯装置及方法

专利号：CN201210020430.0

公布日：2012-07-18

申请人：济南鲍德气体有限公司

一种高纯氪氙的提纯装置

专利号：CN201220029054.7

公布日：2012-10-03

申请人：济南鲍德气体有限公司

光学投影系统中的薄膜驱动的反光镜组的制造方法

专利号：CN98812785.7

公布日：2001-02-07

申请人：大宇电子株式会社

一种制备高比电容石墨烯的方法

专利号：CN201410708764.6

公布日：2015-04-08

申请人：南京大学

一种去磨纹的硅蚀刻液

专利号：CN202011139447.9

公布日：2021-09-07

申请人：湖北兴福电子材料有限公司

一种高收率纯氪和纯氙的全精馏提取方法

专利号：CN200910056401.8

公布日：2010-01-27

申请人：上海启元科技发展有限公司;上海启元空分技术发展有限公司

一种制备红外荧光氮掺杂石墨烯的方法

专利号：CN201310504362.X

公布日：2014-03-26

申请人：南京大学

一种3,4-二(氟偕二硝基)氧化呋咱的合成方法

专利号：CN201610297188.X

公布日：2016-08-17

申请人：西安近代化学研究所

全精馏制备纯氪和纯氙的方法

专利号：CN200910056400.3

公布日：2010-01-27

申请人：上海启元科技发展有限公司;上海启元空分技术发展有限公司

一种通过刻蚀硅牺牲层释放MEMS结构的系统及方法

专利号：CN200910244528.2

公布日：2011-07-06

申请人：中国科学院微电子研究所

一种从贫氪氙浓缩物中提取纯氪和纯氙的方法

专利号：CN200910056396.0

公布日：2010-03-17

申请人：上海启元科技发展有限公司;上海启元空分技术发展有限公司

一步制备氟、氮双掺氧化石墨烯的方法和装置

专利号：CN201310479256.0

公布日：2014-02-05

申请人：南京大学