一种二硅化铪的生产工艺

专利号：CN202010719585.8

公布日：2022-05-20

申请人：辽宁中色新材科技有限公司

二氧化铪层用前体及利用该前体生成二氧化铪膜的方法

专利号：CN03153085.0

公布日：2004-03-17

申请人：三星电子株式会社

一种超细晶二氧化铪陶瓷的电场辅助快速烧结方法

专利号：CN201910166428.6

公布日：2019-05-10

申请人：武汉理工大学

一种真空碳还原制备金属铪粉的方法

专利号：CN201410171422.5

公布日：2017-06-06

申请人：湖南华威景程材料科技有限公司

一种二氧化铪纳米材料、正极片与钠碲电池

专利号：CN202310636536.1

公布日：2023-08-18

申请人：南通大学

碳化铪粉体的制备方法

专利号：CN201110135995.9

公布日：2011-10-26

申请人：山东理工大学

高崩溃电压金属‑绝缘体‑金属电容器

专利号：CN201410187531.6

公布日：2017-12-05

申请人：稳懋半导体股份有限公司

具有铁电氧化铪的半导体装置及形成该半导体装置的方法

专利号：CN201510040666.4

公布日：2017-11-14

申请人：格罗方德半导体公司

一种二氧化铪复合材料、其制备方法及其应用

专利号：CN202010706183.4

公布日：2021-10-01

申请人：中国科学技术大学

一种基于金属铪沉积二氧化铪薄膜的方法

专利号：CN201911303139.2

公布日：2022-06-10

申请人：西南技术物理研究所

一种新型镀膜晶棒

专利号：CN202120186155.4

公布日：2021-08-20

申请人：福建中策光电股份公司

一种三维锥形纳米层膜结构

专利号：CN201920284088.2

公布日：2019-12-24

申请人：深圳大学

半导体器件结构及其形成方法

专利号：CN202310115882.5

公布日：2023-07-11

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

一种稳定型高温釉面涂料

专利号：CN201810515575.5

公布日：2020-03-31

申请人：四川科达节能技术有限公司

一种三碳酸铪酰钠制备二氧化铪的方法

专利号：CN202011314025.0

公布日：2021-03-30

申请人：中核二七二铀业有限责任公司