双层多孔性介电层和半导体介电层内连线结构的制造方法

专利号：CN200710138378.8

公布日：2008-07-23

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

相变化光盘片

专利号：CN200410005932.1

公布日：2005-08-31

申请人：精碟科技股份有限公司

电容器和包括电容器的DRAM器件

专利号：CN202211657948.5

公布日：2023-06-30

申请人：三星电子株式会社

动态随机存取存储器电容器及其制备方法

专利号：CN202011349123.8

公布日：2022-05-27

申请人：长鑫存储技术有限公司

半导体装置及集成电路装置

专利号：CN200610074383.2

公布日：2007-04-18

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

内连接结构

专利号：CN202210314558.1

公布日：2022-08-30

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

具有至少3层高－K介电层的模拟电容器和制造它的方法

专利号：CN200410082530.1

公布日：2005-03-23

申请人：三星电子株式会社

复合材料结构、包括复合材料的电路板结构与其形成方法

专利号：CN200910202902.2

公布日：2010-11-24

申请人：欣兴电子股份有限公司

半导体基板及其制法

专利号：CN201310751011.9

公布日：2018-06-05

申请人：矽品精密工业股份有限公司

集成芯片

专利号：CN202320998641.5

公布日：2023-10-13

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

介电薄膜及介电层结构

专利号：CN201721271650.5

公布日：2018-05-11

申请人：睿力集成电路有限公司

一种再布线金属层及其制作方法

专利号：CN201310592775.8

公布日：2014-02-26

申请人：江阴长电先进封装有限公司

磁介电基板、电路材料和具有其的组件

专利号：CN201580052765.2

公布日：2017-05-31

申请人：罗杰斯公司

触控面板以及显示装置

专利号：CN202010267378.3

公布日：2020-08-04

申请人：TCL华星光电技术有限公司

包括介电层的半导体装置及其形成方法

专利号：CN202310107180.2

公布日：2023-08-11

申请人：三星电子株式会社