集成电路结构及其形成方法

专利号：CN202210152098.7

公布日：2022-09-02

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

具有多个发光单元的发光二极管及其制造方法

专利号：CN200910224858.5

公布日：2010-06-23

申请人：首尔半导体株式会社

晶体管结构及其制造方法

专利号：CN201910885457.8

公布日：2020-04-03

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

臭氧发生器用镀膜导电层介电管的制备方法

专利号：CN200410074191.2

公布日：2006-03-08

申请人：中冶京诚工程技术有限公司

半导体元件及其制造方法

专利号：CN201410776215.2

公布日：2015-10-14

申请人：力旺电子股份有限公司

一种臭氧发生装置

专利号：CN201020290922.8

公布日：2011-03-09

申请人：史金阳

单介电准分子灯系统和方法

专利号：CN202110698238.6

公布日：2021-12-24

申请人：波音公司

用于处理前级真空管线中废气的设备

专利号：CN201380021125.6

公布日：2018-12-11

申请人：应用材料公司

晶体管结构及晶体管结构的制造方法

专利号：CN202210624636.8

公布日：2022-12-06

申请人：发明与合作实验室有限公司

半导体装置

专利号：CN201711063342.8

公布日：2018-12-11

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

晶体管结构及其制造方法

专利号：CN202210386850.4

公布日：2023-10-27

申请人：联华电子股份有限公司

具有改进调谐范围的铁电变容管

专利号：CN200780039652.4

公布日：2009-09-09

申请人：NXP股份有限公司

一种用于消解样品的介电质阻挡放电装置

专利号：CN201921902825.7

公布日：2020-07-31

申请人：成都市食品药品检验研究院;成都理工大学

臭氧发生管

专利号：CN201420568266.1

公布日：2015-03-11

申请人：杭州恒力科技实业有限公司

快闪存储器及其制作方法

专利号：CN200910199993.9

公布日：2011-06-08

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司