形成介电结构的方法以及半导体结构

专利号：CN200810005454.2

公布日：2008-08-13

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

高介电系数的天线基板及其天线

专利号：CN200610000269.5

公布日：2007-07-18

申请人：财团法人工业技术研究院

集成电路结构

专利号：CN200810149643.7

公布日：2009-10-07

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

于低介电系数介电层上形成孔洞的方法

专利号：CN200710106933.9

公布日：2008-03-26

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

电介物质介电系数微波测量探头及由其构成的测量装置

专利号：CN201420074952.3

公布日：2014-07-23

申请人：四川大学

结合高介电系数材料改善耦合损耗的天线

专利号：CN201620813250.1

公布日：2017-02-22

申请人：杭州禾声科技有限公司

基于基片集成波导的介电系数测量探头及测量系统

专利号：CN201810989450.6

公布日：2021-07-06

申请人：四川大学

制造半导体装置的方法

专利号：CN201610876433.2

公布日：2017-04-19

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

包括氮化层的半导体器件

专利号：CN03123129.2

公布日：2004-02-18

申请人：三菱电机株式会社

单片微波集成电路

专利号：CN98102322.3

公布日：2003-11-19

申请人：日本电气株式会社

显示面板残影风险评估方法及显示面板

专利号：CN202110284315.3

公布日：2021-07-06

申请人：TCL华星光电技术有限公司

封装基板

专利号：CN201510207796.2

公布日：2016-11-23

申请人：矽品精密工业股份有限公司

芯片封装体

专利号：CN200520130020.7

公布日：2007-03-21

申请人：威盛电子股份有限公司

显示装置

专利号：CN200910137284.8

公布日：2010-11-03

申请人：元太科技工业股份有限公司

高量子效率的影像传感器

专利号：CN200420093000.2

公布日：2005-11-16

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司