一种鲁棒性共轭对称光学元件及其设计方法

专利号：CN202110050567.X

公布日：2023-05-05

申请人：薛文证

林火蔓延地理元胞自动机仿真方法

专利号：CN201310128915.6

公布日：2013-06-19

申请人：南京大学

一种IGBT器件及其制造工艺

专利号：CN202010827595.3

公布日：2022-06-28

申请人：江苏东海半导体科技有限公司

提升转换效率的沟槽型RC-IGBT器件及制备方法

专利号：CN202210579854.4

公布日：2022-07-29

申请人：江苏中科君芯科技有限公司

一种功率半导体芯片集成元胞栅电阻版图设计

专利号：CN201810339861.0

公布日：2020-03-10

申请人：全球能源互联网研究院有限公司

基于元胞自动机的山火蔓延模拟仿真方法及系统

专利号：CN201810280959.3

公布日：2022-05-17

申请人：国网安徽省电力有限公司;安徽继远软件有限公司

一种热膨胀自适应桁架支撑结构

专利号：CN202221888581.3

公布日：2022-11-15

申请人：华中科技大学;河北工业大学

一种基于SGT-MOSFET的电压采样结构

专利号：CN202210048704.0

公布日：2022-03-29

申请人：深圳市威兆半导体有限公司

具有最佳化胞元布置的装置布局

专利号：CN202111088070.3

公布日：2021-12-10

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

一种吸能填充材料、吸能结构及制备方法

专利号：CN202310455546.5

公布日：2023-07-18

申请人：长沙理工大学

能够提高雪崩耐量能力的超结器件结构

专利号：CN201110301464.2

公布日：2013-04-10

申请人：上海华虹NEC电子有限公司

一种功率半导体器件结构

专利号：CN202210322652.1

公布日：2022-06-24

申请人：电子科技大学

一种刻蚀工艺仿真方法及系统

专利号：CN202210694026.5

公布日：2022-09-02

申请人：苏州培风图南半导体有限公司

高耐压SGT器件

专利号：CN202210416084.1

公布日：2022-07-29

申请人：南京芯长征科技有限公司

具有可变宽度金属线及完全自对准连续性切口的互连胞元

专利号：CN201711352642.8

公布日：2021-11-19

申请人：格芯(美国)集成电路科技有限公司