光刻胶图案增厚材料、包含它的光刻胶图案及其应用

专利号：CN03149913.9

公布日：2004-02-25

申请人：富士通株式会社

半导体器件和栅极的形成方法

专利号：CN201310616514.5

公布日：2015-06-03

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

光刻胶图案增厚材料，光刻胶图案形成工艺和半导体器件制造工艺

专利号：CN03134679.0

公布日：2004-05-19

申请人：富士通株式会社

光刻胶图案修剪方法

专利号：CN201310757477.X

公布日：2019-04-16

申请人：罗门哈斯电子材料有限公司

半导体器件微图案的形成方法

专利号：CN200810085517.X

公布日：2009-04-29

申请人：海力士半导体有限公司

通过使用正型光刻胶进行二次图案化而制造高密度柱结构的方法

专利号：CN200980125068.X

公布日：2011-05-25

申请人：桑迪士克3D公司

半导体器件和栅极的形成方法

专利号：CN201310617880.2

公布日：2015-06-03

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

一种光刻胶图案的制作方法、彩色滤光片及显示装置

专利号：CN201510617500.4

公布日：2019-10-01

申请人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司

阵列基板及其制作方法

专利号：CN201610284394.7

公布日：2018-11-23

申请人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司

光刻胶图案的形成方法和光刻胶结构

专利号：CN202111515560.7

公布日：2023-06-16

申请人：长鑫存储技术有限公司

光刻胶图案的修正方法及刻蚀方法

专利号：CN200910201464.8

公布日：2011-06-15

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

图案化的金属膜层、薄膜晶体管、显示基板的制备方法

专利号：CN201811230086.1

公布日：2021-01-26

申请人：京东方科技集团股份有限公司

纳米图案的拼接方法、纳米压印板、光栅及制作方法

专利号：CN201910032180.4

公布日：2019-03-29

申请人：京东方科技集团股份有限公司

一种阵列基板的制作方法

专利号：CN201810293048.4

公布日：2020-06-30

申请人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司

刻蚀方法

专利号：CN202010998512.7

公布日：2021-01-29

申请人：南京晶驱集成电路有限公司