直接蒸发泵至冷板的分子束外延系统

专利号：CN201980095048.6

公布日：2023-04-28

申请人：杜鹏

分子束外延系统及分子束外延表面的温度控制方法

专利号：CN202011023027.4

公布日：2021-01-01

申请人：中国电子科技集团公司第十一研究所

一种二硒化锡薄膜的制备方法

专利号：CN201810175981.1

公布日：2022-07-12

申请人：深圳先进技术研究院

坩埚及分子束外延系统

专利号：CN202110938739.7

公布日：2023-03-03

申请人：中国电子科技集团公司第十一研究所

一种分子束外延设备中的衬底托板

专利号：CN202320519270.8

公布日：2023-08-01

申请人：上海新微半导体有限公司

一种大尺寸半导体材料电导率提升方法及器件

专利号：CN202211255450.6

公布日：2023-03-07

申请人：中国电子科技集团公司第十一研究所

分子束外延自组织生长量子线的制备方法

专利号：CN01110768.5

公布日：2003-10-08

申请人：信息产业部电子第十三研究所

一种基于RHEED的碲镉汞分子束外延系统

专利号：CN202210814899.5

公布日：2022-10-04

申请人：北京智创芯源科技有限公司

一种分子束外延源料冷却方法

专利号：CN202011311954.6

公布日：2021-08-27

申请人：湖南烁科晶磊半导体科技有限公司

一种内热壁式分子束外延腔体

专利号：CN202111381316.6

公布日：2023-05-23

申请人：广东众元半导体科技有限公司

生长在铜箔衬底上的InN纳米柱外延片及其制备方法

专利号：CN201810026832.9

公布日：2020-09-22

申请人：华南理工大学

分子束外延生长蓝宝石基AlGaN/GaN异质结结构的方法

专利号：CN201910428331.8

公布日：2019-08-09

申请人：南京大学

基于分子束外延技术的自成结光电探测器及其制备方法

专利号：CN202010745094.0

公布日：2022-05-03

申请人：电子科技大学

一种在Si基片上外延生长GaAs薄膜的方法

专利号：CN201210099098.1

公布日：2012-08-01

申请人：中国科学院合肥物质科学研究院

氮极性面GaN材料及其制作方法

专利号：CN202110005849.8

公布日：2021-04-30

申请人：西安电子科技大学