一种激光雕刻设备及系统

专利号：CN202120538116.6

公布日：2022-01-04

申请人：曼德电子电器有限公司

铝布线制作方法

专利号：CN200810202827.5

公布日：2010-06-16

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

用于在低K电介质蚀刻中减少反应离子蚀刻滞后的方法

专利号：CN201880038711.4

公布日：2023-07-28

申请人：东京毅力科创株式会社

半导体结构

专利号：CN202122809021.6

公布日：2022-07-22

申请人：PEP创新私人有限公司

套刻精度的控制方法和装置

专利号：CN200710094528.X

公布日：2009-06-17

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

一种快速光刻系统

专利号：CN201610241127.1

公布日：2016-06-22

申请人：天津中精微仪器设备有限公司

一种组合式皮影纹饰雕刻工具

专利号：CN201920938273.9

公布日：2020-06-19

申请人：付琴

半导体结构及其制造方法

专利号：CN202111358508.5

公布日：2022-05-17

申请人：PEP创新私人有限公司

一种超快激光金属精雕夹具及使用方法

专利号：CN202210728608.0

公布日：2022-08-09

申请人：深圳市大德激光技术有限公司

一种快速光刻系统

专利号：CN201620327012.X

公布日：2016-12-14

申请人：天津中精微仪器设备有限公司

蚀刻方法及蚀刻装置

专利号：CN201210382207.0

公布日：2013-04-17

申请人：开美科技股份有限公司

半导体装置的制造方法

专利号：CN201010003888.6

公布日：2010-07-28

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

使用各向同性和各向异性蚀刻工艺制造集成电路的方法

专利号：CN201880078588.9

公布日：2020-07-17

申请人：艾沃思宾技术公司

光刻群集和模块化以提高生产率

专利号：CN201210300877.3

公布日：2013-10-23

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

等离子体蚀刻方法和半导体装置的制造方法

专利号：CN201210048412.3

公布日：2012-08-29

申请人：东京毅力科创株式会社