采用深沟槽隔离的图像传感器的制作方法

专利号：CN201510280051.9

公布日：2015-09-30

申请人：格科微电子(上海)有限公司

单片单晶硅微机械加工的电容式压力传感器

专利号：CN200510092880.0

公布日：2007-02-28

申请人：李韫言

采用深沟槽隔离的图像传感器

专利号：CN201520352531.7

公布日：2015-09-09

申请人：格科微电子(上海)有限公司

SOI衬底的制造方法

专利号：CN202080003712.2

公布日：2021-07-16

申请人：韩商则舒穆公司

SOI基板的制造方法

专利号：CN202111550729.2

公布日：2022-07-08

申请人：韩商则舒穆公司

外延晶圆的制造方法

专利号：CN202180088195.8

公布日：2023-09-01

申请人：信越半导体株式会社

一种高导通低漏电的肖特基芯片

专利号：CN201921868925.2

公布日：2020-05-12

申请人：淄博汉林半导体有限公司

锗硅外延生长方法

专利号：CN201410138306.3

公布日：2014-07-16

申请人：上海华力微电子有限公司

制造单晶薄膜的方法以及由其制造的单晶薄膜器件

专利号：CN200480041710.3

公布日：2007-02-21

申请人：独立行政法人科学技术振兴机构

外延晶片及其制造方法

专利号：CN02816297.8

公布日：2004-11-10

申请人：信越半导体株式会社

双极性三极管器件及其制备方法

专利号：CN201811573593.5

公布日：2020-06-30

申请人：瑞能半导体科技股份有限公司

双极性三极管器件

专利号：CN201822164690.0

公布日：2019-10-25

申请人：瑞能半导体科技股份有限公司

硅外延片

专利号：CN200810095543.0

公布日：2008-09-24

申请人：信越半导体株式会社

单晶硅微机械加工的电容式麦克风及其制造方法

专利号：CN200410042603.4

公布日：2005-12-07

申请人：李韫言

大功率肖特基势垒器件

专利号：CN201420385324.7

公布日：2014-12-03

申请人：苏州硅能半导体科技股份有限公司