具有隔离层的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器

专利号：CN201910187181.6

公布日：2021-08-06

申请人：电子科技大学

具有缓冲层的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器

专利号：CN201910187199.6

公布日：2021-06-01

申请人：电子科技大学

基于应力补偿制备柔性单晶薄膜的方法及柔性单晶薄膜

专利号：CN201810942371.X

公布日：2021-05-11

申请人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

利用多缓冲层制备宽禁带单晶薄膜及方法

专利号：CN201210100958.9

公布日：2012-08-29

申请人：中国电子科技集团公司第五十五研究所

制备大尺寸宽禁带单晶薄膜的结构和方法

专利号：CN201210100943.2

公布日：2012-08-29

申请人：中国电子科技集团公司第五十五研究所

一种异质集成压电单晶薄膜衬底的表面优化方法

专利号：CN202010644724.5

公布日：2021-12-24

申请人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

具有隔离层的薄膜体声波谐振器制备方法及体声波谐振器

专利号：CN201910187206.2

公布日：2022-03-15

申请人：电子科技大学

微米级单晶薄膜

专利号：CN201810890775.9

公布日：2023-09-26

申请人：济南晶正电子科技有限公司

一种用于声波器件的低应力状态单晶AlN及其制备与应用

专利号：CN201710743907.0

公布日：2023-09-26

申请人：华南理工大学

一种氮化铝/碳化硅复合声波谐振器的制备方法及谐振器

专利号：CN202111249926.0

公布日：2023-07-25

申请人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

一种铁酸钴柔性单晶薄膜的制备方法

专利号：CN202010834451.0

公布日：2022-02-22

申请人：中国科学院半导体研究所

制造单晶薄膜的方法以及由其制造的单晶薄膜器件

专利号：CN200480041710.3

公布日：2007-02-21

申请人：独立行政法人科学技术振兴机构

具有应力缓冲层的单晶薄膜制备方法、单晶薄膜及谐振器

专利号：CN201910187180.1

公布日：2021-12-03

申请人：电子科技大学

一种单晶薄膜体声波滤波器及其微细加工方法

专利号：CN201910393152.5

公布日：2021-09-24

申请人：电子科技大学

图形化单晶薄膜制备方法、图形化单晶薄膜及谐振器

专利号：CN201911138581.4

公布日：2021-07-06

申请人：电子科技大学