一种基于反铁电陶瓷材料的脉冲方波产生方法

专利号：CN202210682427.9

公布日：2022-08-30

申请人：西安交通大学

反铁电存储器

专利号：CN202010643344.X

公布日：2023-07-28

申请人：中国科学院微电子研究所

一种具有高热释电性能的反铁电薄膜制备方法

专利号：CN200910195208.2

公布日：2011-04-13

申请人：复旦大学

一种反铁电存储器及其制备方法

专利号：CN202310358538.9

公布日：2023-07-07

申请人：中国科学院微电子研究所

一种反铁电储能陶瓷材料及其制备方法

专利号：CN201310659224.9

公布日：2014-03-19

申请人：华中科技大学

一种具有高介电常数的反铁电电容及其制备方法

专利号：CN202310361687.0

公布日：2023-08-08

申请人：中国科学院微电子研究所

一种反铁电单晶材料、其制备方法及其应用

专利号：CN201910183580.5

公布日：2021-02-12

申请人：中国科学院福建物质结构研究所

用于侧壁应变工程的带间隔体的铁电或反铁电沟槽电容器

专利号：CN202010220099.1

公布日：2020-12-15

申请人：英特尔公司

半导体器件

专利号：CN202110207855.1

公布日：2021-11-23

申请人：爱思开海力士有限公司

一种提高反铁电膜材料负电卡制冷方法

专利号：CN201610535039.2

公布日：2016-12-14

申请人：内蒙古科技大学

锆酸铅基反铁电多层电容器及其制备方法

专利号：CN201710229647.5

公布日：2019-10-01

申请人：内蒙古科技大学

基于铁电相/反铁电相多相薄膜的铁电器件及其制备方法

专利号：CN202211152412.8

公布日：2023-01-20

申请人：西安电子科技大学

一种高分散反铁电亚微米陶瓷粉体及其制备方法

专利号：CN201911295252.0

公布日：2020-04-24

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

一种单相NBT基反铁电陶瓷及其制备方法

专利号：CN201710074301.2

公布日：2020-04-14

申请人：哈尔滨工业大学

一种锆锡酸铅基反铁电陶瓷材料及其制备方法与应用

专利号：CN202211065993.1

公布日：2023-01-17

申请人：同济大学