沟槽型发射极载流子注入控制快恢复二极管

专利号：CN202210778209.5

公布日：2022-09-23

申请人：江苏中科君芯科技有限公司

半导体器件及其制造方法

专利号：CN201911347505.4

公布日：2020-07-07

申请人：瑞萨电子株式会社

一种新型绝缘栅双极性晶体管

专利号：CN202110873522.2

公布日：2021-12-07

申请人：西安电子科技大学

沟槽栅IGBT器件和制作方法

专利号：CN202310275115.0

公布日：2023-04-18

申请人：晶艺半导体有限公司

带有窄沟槽发射极的横向PNP双极晶体管

专利号：CN201210348391.7

公布日：2013-04-03

申请人：万国半导体股份有限公司

IGBT半导体器件及其制作方法

专利号：CN202310275117.X

公布日：2023-04-18

申请人：晶艺半导体有限公司

功率器件及功率器件制备方法

专利号：CN202010160130.7

公布日：2020-07-03

申请人：瑞能半导体科技股份有限公司

功率器件

专利号：CN202020284192.4

公布日：2020-08-25

申请人：瑞能半导体科技股份有限公司

一种功率器件结构

专利号：CN202310809345.0

公布日：2023-09-19

申请人：上海陆芯电子科技有限公司

功率器件及其成型方法

专利号：CN202010160720.X

公布日：2020-06-09

申请人：瑞能半导体科技股份有限公司

功率器件

专利号：CN202020283778.9

公布日：2020-08-25

申请人：瑞能半导体科技股份有限公司

一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构及其制作方法

专利号：CN201810884478.3

公布日：2020-02-18

申请人：珠海格力电器股份有限公司

一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构

专利号：CN201821259335.5

公布日：2019-01-22

申请人：珠海格力电器股份有限公司

绝缘栅双极型晶体管、智能功率器件及电子产品

专利号：CN202010784767.3

公布日：2020-12-01

申请人：广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司

IGBT功率器件

专利号：CN201811147957.3

公布日：2020-04-07

申请人：苏州东微半导体有限公司