一种半导体薄膜平坦度改善的方法

专利号：CN201910734324.0

公布日：2019-12-20

申请人：上海新昇半导体科技有限公司

12寸外延片改善边缘几何参数的方法

专利号：CN202210460745.0

公布日：2022-08-30

申请人：中环领先半导体材料有限公司

氮化物外延结构及其制备方法

专利号：CN202110890902.7

公布日：2023-02-17

申请人：无锡华润微电子有限公司

一种外延晶圆及其制造方法、装置及存储介质

专利号：CN202310954060.6

公布日：2023-09-22

申请人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司

一种发光二极管及其制备方法

专利号：CN202211355566.7

公布日：2023-01-31

申请人：厦门三安光电有限公司

SRAM存储器及其形成方法

专利号：CN201710074019.4

公布日：2021-09-07

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

改善背面硅单晶的外延片的制备方法、外延片和半导体器件

专利号：CN201810722379.5

公布日：2021-03-02

申请人：上海晶盟硅材料有限公司

碳化硅紫外光光电检测器及其制造方法

专利号：CN202310305109.5

公布日：2023-06-02

申请人：意法半导体股份有限公司

碳化硅紫外光光电检测器及其制造方法

专利号：CN201910233197.6

公布日：2023-04-11

申请人：意法半导体股份有限公司

半导体紫外光光电检测器和紫外辐射检测系统

专利号：CN201920390597.3

公布日：2019-12-17

申请人：意法半导体股份有限公司

半导体装置结构

专利号：CN202210429959.1

公布日：2022-09-16

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

氮化镓层及其同质外延生长方法

专利号：CN202110048565.7

公布日：2021-05-18

申请人：镓特半导体科技（上海）有限公司

一种剥离外延金刚石与GaN材料的方法

专利号：CN202211213382.7

公布日：2022-12-20

申请人：中国电子科技集团公司第十三研究所

一种半导体晶片的制作方法

专利号：CN201710830314.8

公布日：2018-02-02

申请人：厦门三安光电有限公司

垂直型氮化镓肖特基二极管

专利号：CN201880026850.5

公布日：2019-12-17

申请人：克罗米斯有限公司