一种LED外延结构生长方法及该方法制备的芯片

专利号：CN202210951603.4

公布日：2022-11-15

申请人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司

一种高亮度发光二极管的多量子阱结构

专利号：CN201310562955.1

公布日：2014-02-19

申请人：西安神光皓瑞光电科技有限公司

一种氮化物发光二极管结构

专利号：CN201810194487.X

公布日：2018-07-27

申请人：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司

一种MicroLED显示面板制作方法及显示面板

专利号：CN202210317411.8

公布日：2022-06-17

申请人：季华实验室

一种氮化物发光二极管结构

专利号：CN201820323961.X

公布日：2019-01-01

申请人：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司

一种绿光发光二极管的外延片及其制备方法

专利号：CN202210536830.0

公布日：2022-07-29

申请人：江西兆驰半导体有限公司

一种可关断的连续调谐半导体激光器芯片结构

专利号：CN201920102072.5

公布日：2019-08-09

申请人：陕西源杰半导体技术有限公司咸阳分公司

LED磊晶片结构

专利号：CN202120636445.4

公布日：2021-12-10

申请人：重庆康佳光电技术研究院有限公司

一种发光二极管及其制造方法

专利号：CN201510874393.3

公布日：2016-03-16

申请人：华灿光电(苏州）有限公司

具有单边渐变多量子阱的高阻氮化镓基缓冲层及制备方法

专利号：CN201811405399.6

公布日：2020-10-27

申请人：厦门市三安集成电路有限公司

宽频谱GaN基LED外延结构及其制造方法

专利号：CN201610382974.X

公布日：2016-09-21

申请人：聚灿光电科技股份有限公司

氮化镓发光二极管外延片

专利号：CN201510003033.6

公布日：2017-02-22

申请人：圆融光电科技有限公司

一种InGaN/GaN多量子阱微米线的制备方法

专利号：CN202010967184.4

公布日：2021-01-01

申请人：五邑大学

一种GaN基发光二极管的外延结构及其制备方法

专利号：CN202210753881.9

公布日：2022-09-02

申请人：江西兆驰半导体有限公司

宽频谱GaN基LED外延结构

专利号：CN201620524657.2

公布日：2017-01-18

申请人：聚灿光电科技股份有限公司