包括层叠的半导体芯片的半导体封装

专利号：CN202210942271.3

公布日：2023-05-09

申请人：爱思开海力士有限公司

包括层叠的半导体芯片的半导体封装

专利号：CN202110153516.X

公布日：2022-03-01

申请人：爱思开海力士有限公司

半导体装置

专利号：CN202210230498.5

公布日：2023-03-21

申请人：铠侠股份有限公司

具有层叠芯片结构的半导体封装

专利号：CN201910976963.8

公布日：2020-08-11

申请人：爱思开海力士有限公司

包括层叠的半导体芯片的半导体封装件

专利号：CN202110376810.7

公布日：2022-06-17

申请人：爱思开海力士有限公司

包括层叠的半导体晶片的层叠封装

专利号：CN201811579339.6

公布日：2023-08-01

申请人：爱思开海力士有限公司

半导体器件以及制造该半导体器件的方法

专利号：CN201510386546.X

公布日：2019-11-26

申请人：三星电子株式会社

半导体结构

专利号：CN202080107205.3

公布日：2023-08-04

申请人：苏州晶湛半导体有限公司

半导体层叠结构及其制造方法以及半导体装置

专利号：CN202210350344.X

公布日：2022-10-18

申请人：住友电气工业株式会社

层叠型半导体装置以及该层叠型半导体装置的制造方法

专利号：CN202010893405.8

公布日：2021-09-14

申请人：爱思开海力士有限公司

半导体装置、制造方法及电子设备

专利号：CN201580063785.X

公布日：2020-06-16

申请人：索尼公司

发光元件以及其制造方法

专利号：CN201180062905.6

公布日：2013-09-04

申请人：株式会社东芝

半导体装置以及该半导体装置的制造方法

专利号：CN202110692916.8

公布日：2022-05-27

申请人：爱思开海力士有限公司

半导体装置的制造方法、块状层叠体和依次层叠体

专利号：CN201280040614.1

公布日：2014-04-23

申请人：住友电木株式会社

半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法

专利号：CN202210490486.6

公布日：2023-01-06

申请人：爱思开海力士有限公司