工艺条件感测设备

专利号：CN202180086785.7

公布日：2023-09-19

申请人：科磊股份有限公司

CMP工艺条件调整控制方法

专利号：CN200710094357.0

公布日：2009-06-10

申请人：上海华虹NEC电子有限公司

细胞培养工艺搜索方法、细胞培养工艺搜索程序、细胞培养工艺搜索装置及已学习模型

专利号：CN202180015602.2

公布日：2022-09-30

申请人：富士胶片株式会社

一种通过预补值来快速建立光刻工艺条件的方法

专利号：CN201710276130.1

公布日：2020-02-21

申请人：上海华力微电子有限公司

金属铝填孔的方法

专利号：CN201810120404.2

公布日：2020-06-09

申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

用于辅助优化工艺的方法、装置和电子设备

专利号：CN202210978707.4

公布日：2022-11-22

申请人：北京晶泰科技有限公司

集成电路及其形成方法

专利号：CN202110585596.6

公布日：2021-10-08

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

光刻工艺条件添加方法及装置、设计系统、介质和设备

专利号：CN202110339791.0

公布日：2022-12-02

申请人：长鑫存储技术有限公司

判定半导体工艺条件的方法

专利号：CN200610071587.0

公布日：2007-10-03

申请人：联华电子股份有限公司

修正CMP作业工艺条件的方法

专利号：CN200610116251.1

公布日：2008-03-26

申请人：上海华虹NEC电子有限公司

工艺条件测量设备(PCMD)和方法

专利号：CN201280016390.0

公布日：2017-02-22

申请人：克拉-坦科股份有限公司

基于工艺条件选择的智能化工系统

专利号：CN201910921896.X

公布日：2021-09-24

申请人：南京大学

基于工艺效果选择的智能化工系统

专利号：CN201910922109.3

公布日：2021-02-23

申请人：南京大学

信息处理装置、程序和工艺条件搜索方法

专利号：CN202210085909.6

公布日：2022-08-05

申请人：东京毅力科创株式会社

动态调节薄膜沉积参数的系统和方法

专利号：CN202110366655.0

公布日：2022-05-10

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司