原子层掺杂装置和方法

专利号：CN01816669.5

公布日：2004-01-14

申请人：微米技术股份有公司

铁电膜层的制造方法、铁电隧道结单元、存储器元件及其写入与读取方法

专利号：CN201710447991.1

公布日：2018-12-25

申请人：萨摩亚商费洛储存科技股份有限公司

金属络合物作为 n －掺杂物用于有机半导体基质材料中的用途 ,有机半导体材料和电子元件以及掺杂物和配位体 ,及其生产方法

专利号：CN200580003728.9

公布日：2007-02-14

申请人：诺瓦尔德股份有限公司

一种掺杂稀土元素的荧光粉及其制备方法

专利号：CN200910247542.8

公布日：2010-06-16

申请人：苏州纳维科技有限公司

用于掺杂有机半导体基质材料的金属络合物

专利号：CN200910118264.6

公布日：2009-11-18

申请人：诺瓦尔德股份有限公司

一种纳米掺杂结构及其制备方法

专利号：CN201210452796.5

公布日：2013-03-06

申请人：西安交通大学

半导体的图案化离散纳米级掺杂、所述半导体的制造方法和包含所述半导体的制品

专利号：CN201910627069.X

公布日：2020-01-21

申请人：罗门哈斯电子材料有限责任公司;加利福尼亚大学董事会

掺杂有锑以避免或限制掺杂物扩散的垂直二极管

专利号：CN200680042220.4

公布日：2008-11-12

申请人：桑迪士克3D公司

制造存储器单元法、制造存储器单元装置法和存储器单元

专利号：CN201310463189.3

公布日：2017-01-11

申请人：英飞凌科技股份有限公司

半导体的光致核嬗变掺杂

专利号：CN87100971

公布日：1987-09-09

申请人：英国原子能管理局

最小化N型掺杂物扩散的经沉积半导体结构和制造方法

专利号：CN200680052354.4

公布日：2008-12-31

申请人：桑迪士克3D公司

一种掺杂稀土元素的化合物半导体材料及其生长方法

专利号：CN200910247541.3

公布日：2010-07-14

申请人：苏州纳维科技有限公司

硅片器件的低温掺杂方法

专利号：CN200780023661.4

公布日：2009-09-30

申请人：阿里斯技术公司

使用保形掺杂物膜沉积在3D结构中的保形卤素掺杂

专利号：CN201880055784.4

公布日：2020-05-01

申请人：应用材料公司

掺杂的钠阳极、具有掺杂的钠阳极的电池及其使用方法

专利号：CN202180073614.0

公布日：2023-08-15

申请人：北伊利诺伊大学董事会