三轴磁传感器及其制造方法

专利号：CN200680008060.1

公布日：2008-06-18

申请人：雅马哈株式会社

具有可旋转光形成器件的光效应系统

专利号：CN201080039458.8

公布日：2012-05-30

申请人：马丁专业公司

多层涂膜形成方法

专利号：CN201780071599.X

公布日：2022-05-31

申请人：关西涂料株式会社

一种沟槽式场效应管制备方法

专利号：CN201110076573.9

公布日：2011-09-14

申请人：上海宏力半导体制造有限公司

磁存储器装置和磁存储器装置的制造方法

专利号：CN200410058626.4

公布日：2005-02-09

申请人：株式会社东芝

场效应管的制造方法和场效应管

专利号：CN201410356202.X

公布日：2019-04-23

申请人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司

一种半导体装置的制造方法

专利号：CN202310511164.X

公布日：2023-09-12

申请人：合肥晶合集成电路股份有限公司

磁阻效应型磁头的制造方法及所用晶片

专利号：CN96108377.8

公布日：1997-04-02

申请人：株式会社日立制作所

磁存储装置的制造方法

专利号：CN03108386.2

公布日：2003-10-15

申请人：株式会社东芝

场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管

专利号：CN201510296946.1

公布日：2017-01-04

申请人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司

多层涂膜形成方法

专利号：CN201880070312.6

公布日：2020-06-16

申请人：关西涂料株式会社

形成具有不同类型的场效应晶体管的集成电路器件的方法

专利号：CN200510067049.X

公布日：2005-11-23

申请人：三星电子株式会社

多层涂膜形成方法

专利号：CN201880060158.4

公布日：2020-05-01

申请人：关西涂料株式会社

抑制谐波效应半导体结构及形成抑制谐波效应结构的方法

专利号：CN201310270870.6

公布日：2018-11-20

申请人：联华电子股份有限公司

半导体器件及其制造方法

专利号：CN01814948.0

公布日：2003-10-15

申请人：株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社