蓄电装置容器用钢箔、蓄电装置用容器和蓄电装置以及蓄电装置容器用钢箔的制造方法

专利号：CN201580039626.6

公布日：2018-11-30

申请人：新日铁住金株式会社;新日铁住金高新材料株式会社

一种基于像素关系的金相组织晶界提取方法

专利号：CN202210307510.8

公布日：2022-07-22

申请人：东北大学

NdFeB系烧结磁体

专利号：CN201280021367.0

公布日：2014-01-08

申请人：因太金属株式会社

磁记录介质及磁存储装置

专利号：CN201710439941.9

公布日：2017-12-29

申请人：昭和电工株式会社

圆筒型溅射靶用原材料

专利号：CN201580000747.X

公布日：2017-01-18

申请人：三菱综合材料株式会社

磁记录介质及磁存储装置

专利号：CN202110544113.8

公布日：2021-11-26

申请人：昭和电工株式会社

一种基于重位点阵搜索的扭转和倾斜晶界自动建模方法

专利号：CN201810884330.X

公布日：2021-03-02

申请人：北京航空航天大学

磁记录介质及磁存储装置

专利号：CN202310272532.X

公布日：2023-06-13

申请人：昭和电工株式会社

磁记录介质及磁存储装置

专利号：CN202010269127.9

公布日：2021-09-10

申请人：昭和电工株式会社

氧化锌压敏电阻微观特性模拟优化计算模型

专利号：CN201711129180.3

公布日：2020-04-10

申请人：清华大学

陶瓷烧结体及陶瓷粉末

专利号：CN202080018161.7

公布日：2021-10-19

申请人：京瓷株式会社;第一稀元素化学工业株式会社

协同获得低∑晶界和锯齿晶界的方法

专利号：CN202210184385.6

公布日：2022-05-27

申请人：上海电机学院

一种晶界提取、晶界提取模型生成方法及装置

专利号：CN201811525515.8

公布日：2020-06-23

申请人：阿里巴巴集团控股有限公司

透明导电层和透明导电性片

专利号：CN202180022001.4

公布日：2022-11-01

申请人：日东电工株式会社

透明导电层、透明导电性片、接触式传感器、调光元件、光电转换元件、热射线控制构件、天线、电磁波屏蔽构件及图像显示装置

专利号：CN202180012577.2

公布日：2023-03-24

申请人：日东电工株式会社