半导体装置和包括其的数据存储系统

专利号：CN202310246985.5

公布日：2023-09-19

申请人：三星电子株式会社

集成电路及其制造方法

专利号：CN201810409999.3

公布日：2021-05-04

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

半导体装置结构的形成方法

专利号：CN201811314088.9

公布日：2023-05-23

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

半导体装置及其形成方法

专利号：CN202110356993.6

公布日：2021-08-17

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

半导体元件的形成方法

专利号：CN202310097379.1

公布日：2023-09-15

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

半导体结构及其制造方法

专利号：CN202110204690.2

公布日：2021-06-15

申请人：长江存储科技有限责任公司

三维半导体存储器件

专利号：CN201910241621.1

公布日：2019-12-20

申请人：三星电子株式会社

晶体管栅极及其形成方法

专利号：CN202011329103.4

公布日：2021-08-03

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

鳍端部栅极结构及其形成方法

专利号：CN202011172342.3

公布日：2021-05-04

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

半导体元件及其制备方法

专利号：CN202210094612.6

公布日：2022-10-21

申请人：南亚科技股份有限公司

半导体器件及包括其的数据存储系统

专利号：CN202211285735.4

公布日：2023-04-28

申请人：三星电子株式会社

半导体器件及其形成方法

专利号：CN202210131715.5

公布日：2022-11-01

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

半导体装置结构的制造方法

专利号：CN202010406637.6

公布日：2020-12-01

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

半导体器件制造方法

专利号：CN201510561401.9

公布日：2020-12-22

申请人：中国科学院微电子研究所

存储元件及其制造方法

专利号：CN201610666685.2

公布日：2022-05-10

申请人：华邦电子股份有限公司