一种焊接的离子推力器栅极组件

专利号：CN201610789555.8

公布日：2018-07-31

申请人：兰州空间技术物理研究所

一种高结构稳定性栅极组件

专利号：CN202310665735.5

公布日：2023-08-29

申请人：兰州空间技术物理研究所

一种用于显示器的切换装置、显示器

专利号：CN201210549679.0

公布日：2014-06-18

申请人：上海中航光电子有限公司

一种栅极组件栅极面间距检测方法及检测平台

专利号：CN202110710325.9

公布日：2022-08-23

申请人：上海工程技术大学

一种热应力自适应栅极组件及其制作方法

专利号：CN201911368537.2

公布日：2020-12-25

申请人：兰州空间技术物理研究所

一种离子推力器碳栅柔性安装栅极组件

专利号：CN202310706916.8

公布日：2023-08-04

申请人：兰州空间技术物理研究所

沟槽型功率MOSFET器件及其制造方法

专利号：CN201610462883.7

公布日：2016-09-21

申请人：无锡新洁能股份有限公司

沟槽型功率MOSFET器件

专利号：CN201620629808.0

公布日：2016-12-07

申请人：无锡新洁能股份有限公司

一种用于离子推力器栅极组件的栅间距测量方法和测量具

专利号：CN201410449605.9

公布日：2017-06-13

申请人：兰州空间技术物理研究所

半导体器件

专利号：CN201610172033.3

公布日：2020-05-12

申请人：三星电子株式会社

一种离子推力器曲面形栅极组件

专利号：CN202210583853.7

公布日：2022-08-23

申请人：兰州空间技术物理研究所

引线的接触结构及其制造方法,包括该接触结构的薄膜晶体管阵列衬底及其制造方法

专利号：CN02812690.4

公布日：2005-06-15

申请人：三星电子株式会社

一种半导体晶体管结构及其制备方法

专利号：CN201710682072.2

公布日：2019-02-26

申请人：长鑫存储技术有限公司

一种X射线管阴极组件

专利号：CN202020226330.3

公布日：2020-08-11

申请人：麦默真空技术无锡有限公司

热稳定性好的高功率半导体组件

专利号：CN200780024061.X

公布日：2009-07-08

申请人：万国半导体股份有限公司