电子器件

专利号：CN202010086093.X

公布日：2020-09-22

申请人：半导体元件工业有限责任公司

存储器单元

专利号：CN201822232903.9

公布日：2019-09-20

申请人：意法半导体股份有限公司;意法半导体国际有限公司

凹入式存取装置及形成凹入式存取装置的方法

专利号：CN202210463443.9

公布日：2023-03-03

申请人：美光科技公司

整合于垂直栅鳍式场效二极管的静电放电及被动结构

专利号：CN201610251813.7

公布日：2018-07-17

申请人：格罗方德半导体公司

整合于垂直栅鳍式场效二极管的静电放电及被动结构

专利号：CN201710220077.3

公布日：2020-10-20

申请人：格罗方德半导体公司

电子芯片

专利号：CN201821096026.0

公布日：2019-03-05

申请人：意法半导体(鲁塞)公司

用于重置栅极晶体管中功函数调节的碳注入

专利号：CN201210383534.8

公布日：2017-09-29

申请人：国际商业机器公司

像增强器

专利号：CN200710300541.6

公布日：2008-06-25

申请人：株式会社东芝;东芝电子管器件株式会社

有机薄膜晶体管和制造其的方法

专利号：CN200510079538.7

公布日：2005-12-28

申请人：三星SDI株式会社

半导体装置和半导体装置的制造方法

专利号：CN200780031095.1

公布日：2009-08-12

申请人：国产大学法人东北大学;日本瑞翁株式会社

显示装置

专利号：CN201610709195.6

公布日：2017-03-08

申请人：三星显示有限公司

具有稳定的阈值修改材料的FET器件及其方法

专利号：CN200810145597.3

公布日：2009-02-11

申请人：国际商业机器公司

具有AL(1-X)

专利号：CN201780006717.9

公布日：2021-09-17

申请人：创世舫电子有限公司

采用氨中退火来建立超薄栅极绝缘体的方法

专利号：CN00816802.4

公布日：2003-06-11

申请人：先进微装置公司

改进沟道应力的隔离壁应力源结构及其制造方法

专利号：CN201880063110.9

公布日：2020-05-08

申请人：英特尔公司