一种基于多晶硅热栅的横向PNP晶体管及其修复方法

专利号：CN202310805013.5

公布日：2023-08-18

申请人：西北核技术研究所;中国电子科技集团公司第二十四研究所

一种基于改善VDMOS器件

专利号：CN201920075836.6

公布日：2019-07-19

申请人：厦门中能微电子有限公司

一种内层电介质可靠性测试结构

专利号：CN201520135453.5

公布日：2015-06-24

申请人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

EEPROM器件制备中写入栅极顶角圆化的方法

专利号：CN200810043326.7

公布日：2009-11-11

申请人：上海华虹NEC电子有限公司

一种多晶硅样芯的制备方法

专利号：CN202111637037.1

公布日：2022-03-25

申请人：陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司

一种检测多晶硅残留的测试结构

专利号：CN201410060317.4

公布日：2014-07-23

申请人：上海华力微电子有限公司

横向超结器件、横向绝缘栅双极晶体管及制造方法

专利号：CN202211124222.5

公布日：2023-01-20

申请人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司

互补双极晶体管及其制造方法

专利号：CN02105218.2

公布日：2002-11-27

申请人：三星电子株式会社

互补双极晶体管及其制造方法

专利号：CN02105216.6

公布日：2002-11-27

申请人：三星电子株式会社

互补双极晶体管及其制造方法

专利号：CN02105217.4

公布日：2002-11-27

申请人：三星电子株式会社

PIP结构及具有PIP结构的高压元件与电容元件的制造方法

专利号：CN202210799079.3

公布日：2023-08-04

申请人：立锜科技股份有限公司

一种带ESD结构的IGBT芯片及其制作方法

专利号：CN202311057605.X

公布日：2023-09-19

申请人：深圳芯能半导体技术有限公司

屏蔽栅沟槽器件

专利号：CN202121562433.8

公布日：2022-01-25

申请人：上海矽普半导体科技有限公司

屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法

专利号：CN201610374746.8

公布日：2019-08-13

申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

双多晶硅栅的载流子存储型IGBT器件

专利号：CN201910773365.0

公布日：2023-05-12

申请人：江苏中科君芯科技有限公司