一种氮化双向供气装置以及氮化双向供气系统

专利号：CN201811544262.9

公布日：2019-03-08

申请人：江苏丰东热技术有限公司

一种氮化镓外延片及半导体器件

专利号：CN202122921034.2

公布日：2022-09-16

申请人：江苏第三代半导体研究院有限公司

一种氮化双向供气装置以及氮化双向供气系统

专利号：CN201822123558.5

公布日：2019-09-17

申请人：江苏丰东热技术有限公司

硅基氮化镓外延层的生长方法及氮化镓外延片

专利号：CN202210884713.3

公布日：2022-11-01

申请人：中国科学院半导体研究所

连续氮化处理炉和连续氮化处理方法

专利号：CN201780037897.7

公布日：2021-01-15

申请人：同和热处理技术株式会社

一种立方氮化硼相变增强的氮化铝/氮化硼复合陶瓷及其制备方法

专利号：CN202210703501.0

公布日：2023-04-07

申请人：厦门理工学院

基于六方氮化硼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法

专利号：CN201610334060.6

公布日：2019-02-19

申请人：西安电子科技大学

导电化合物上的大晶粒低电阻率钨

专利号：CN201280011970.0

公布日：2013-11-20

申请人：国际商业机器公司

六方氮化硼辅助氮化镓外延的衬底结构及其制备方法

专利号：CN202210095237.7

公布日：2022-06-17

申请人：西安电子科技大学

一种氮化铝复合缓冲层及制备方法及氮化镓基半导体器件

专利号：CN201710175415.6

公布日：2023-05-05

申请人：合肥工业大学

一种氮化铝复合缓冲层及氮化镓基半导体器件

专利号：CN201720283425.7

公布日：2017-11-24

申请人：合肥工业大学

一种镍基高温合金的氮化方法

专利号：CN201711424433.X

公布日：2020-01-17

申请人：哈尔滨汽轮机厂有限责任公司

一种高电子迁移率晶体管及其制备方法

专利号：CN202011368164.1

公布日：2022-09-27

申请人：厦门市三安集成电路有限公司

一种氮化镓衬底剥离方法

专利号：CN202210159444.4

公布日：2022-05-13

申请人：苏州浪潮智能科技有限公司

氮化镓外延结构

专利号：CN202122942896.3

公布日：2022-05-27

申请人：苏州纳维科技有限公司