用于在具有帽盖层的半导体互连结构上沉积金属层的方法

专利号：CN200380102372.5

公布日：2005-12-14

申请人：国际商业机器公司

一种多功能沉积物覆盖装置及制备方法

专利号：CN202011202433.7

公布日：2021-01-22

申请人：上海海洋大学

一种多功能沉积物覆盖装置

专利号：CN202022488785.5

公布日：2021-08-03

申请人：上海海洋大学

低电阻率的金属触点堆叠物

专利号：CN202280016686.6

公布日：2023-10-13

申请人：应用材料公司

磁阻传感器上自对准反射/保护覆盖层的制造及该传感器

专利号：CN200310119726.9

公布日：2004-06-16

申请人：日立环球储存科技荷兰有限公司

用于电弧等离子体沉积设备的喷嘴式喷射器

专利号：CN98115080.2

公布日：2003-08-13

申请人：通用电气公司

一种改善异质结太阳电池光电性能的方法

专利号：CN201911115337.6

公布日：2021-05-11

申请人：西南石油大学

金属栅极结构及其形成方法

专利号：CN202210865671.9

公布日：2023-07-21

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

光罩表层膜及其形成方法

专利号：CN202210069623.9

公布日：2022-07-01

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

一种运动传感器的制备方法

专利号：CN201410100750.6

公布日：2017-03-08

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

超级电容器的极板、超级电容器及其制作方法

专利号：CN202110303858.5

公布日：2023-05-16

申请人：西湖大学

形成半导体器件的方法

专利号：CN202210864519.9

公布日：2023-03-24

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

用于互连工艺中的半导体器件及其制造方法

专利号：CN200910195496.1

公布日：2011-04-20

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

半导体处理方法

专利号：CN201910910816.0

公布日：2020-04-07

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

晶体材料的重结晶方法

专利号：CN202211318594.1

公布日：2023-01-13

申请人：中国科学院半导体研究所