一种半导体器件及其制造方法

专利号：CN201610783513.3

公布日：2021-08-17

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

超浅结的退火方法

专利号：CN202210702695.2

公布日：2022-08-30

申请人：上海华力集成电路制造有限公司

图像传感器及其形成方法

专利号：CN201810516829.5

公布日：2018-11-13

申请人：德淮半导体有限公司

海底裸岩或浅覆盖层区域配重块植桩方法

专利号：CN201410083926.1

公布日：2014-07-02

申请人：中交一航局第三工程有限公司;中交第一航务工程局有限公司

一种双高K栅介质/金属栅结构的制作方法

专利号：CN201110335104.4

公布日：2012-01-25

申请人：上海华力微电子有限公司

一种用于深水浅覆盖层河床的钻孔平台及其施工方法

专利号：CN202211043464.1

公布日：2022-12-23

申请人：中铁大桥局集团有限公司

一种用于深水浅覆盖层河床的钻孔平台

专利号：CN202222287926.6

公布日：2022-12-13

申请人：中铁大桥局集团有限公司

一种半导体器件及其制备方法、电子装置

专利号：CN201410189140.8

公布日：2015-11-25

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

一种生态园林景观设计绿化带

专利号：CN202120048851.9

公布日：2021-10-08

申请人：衡阳师范学院

一种测量籽硅层厚度的方法

专利号：CN201010527486.6

公布日：2012-05-16

申请人：上海宏力半导体制造有限公司

半导体元件隔离结构及其形成方法

专利号：CN200810109876.4

公布日：2009-12-09

申请人：联华电子股份有限公司

软弱地基浅覆盖层上新建或扩建的风电基础及其施工方法

专利号：CN202010844076.8

公布日：2020-10-30

申请人：天津大学

软弱地基浅覆盖层上新建与扩建的风电基础

专利号：CN202021751300.0

公布日：2021-02-19

申请人：天津大学

海洋深水区浅覆盖层锚桩形式施工通道施工方法

专利号：CN201811143308.6

公布日：2020-09-08

申请人：中交二航局第二工程有限公司;中交第二航务工程局有限公司

用氧化物覆盖层提高沟填充均匀性的方法

专利号：CN200610028918.2

公布日：2008-01-16

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司