物理气相沉积线圈的处理方法及物理气相沉积线圈结构

专利号：CN200910054945.0

公布日：2011-01-26

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

成膜装置

专利号：CN200910142629.9

公布日：2009-11-04

申请人：东京毅力科创株式会社

处理气体供给机构、供给方法及气体处理装置

专利号：CN200710154446.X

公布日：2008-04-09

申请人：东京毅力科创株式会社

基板处理装置、半导体装置的制造方法、程序及气体供给系统

专利号：CN202080047667.0

公布日：2022-02-08

申请人：株式会社国际电气

半导体处理用成膜方法和装置

专利号：CN200710001998.7

公布日：2007-07-25

申请人：东京毅力科创株式会社

半导体器件的制造方法及衬底处理装置

专利号：CN201510501921.0

公布日：2016-03-23

申请人：株式会社日立国际电气

半导体处理用的成膜方法和装置

专利号：CN200710147867.X

公布日：2008-03-05

申请人：东京毅力科创株式会社

处理气体吸入构造及废气处理装置

专利号：CN202111436606.6

公布日：2022-06-21

申请人：株式会社荏原制作所

理气仪

专利号：CN00226467.6

公布日：2003-09-17

申请人：

一种钢带表面清理机构

专利号：CN201820230942.2

公布日：2018-11-09

申请人：永鑫精密材料（无锡）有限公司

等离子蚀刻装置

专利号：CN201410324224.8

公布日：2018-09-11

申请人：株式会社迪思科

半导体处理用的成膜方法和装置

专利号：CN200710167674.0

公布日：2008-03-12

申请人：东京毅力科创株式会社

基板处理装置及半导体器件的制造方法

专利号：CN201410066971.6

公布日：2017-04-12

申请人：株式会社日立国际电气

半导体处理用成膜方法、成膜装置和存储介质

专利号：CN200610058179.1

公布日：2006-09-13

申请人：东京毅力科创株式会社

煤非活性化处理装置及利用该装置的改性煤制造设备

专利号：CN201380032598.6

公布日：2015-02-25

申请人：三菱重工业株式会社