高－ε－介电层或铁电层的制造方法

专利号：CN97198370.4

公布日：2003-06-18

申请人：西门子公司

双电层装置

专利号：CN201610048460.0

公布日：2018-12-04

申请人：奈斯卡普股份有限公司

集电层结构

专利号：CN201710942407.X

公布日：2021-03-19

申请人：辉能科技股份有限公司;辉能控股股份有限公司

EVA电性能层

专利号：CN202220404927.1

公布日：2022-08-30

申请人：北京三盾证卡技术有限公司

平坦的金属层间介电层或内层介电层的制造方法

专利号：CN98121448.7

公布日：2000-03-22

申请人：世大积体电路股份有限公司

金属层下介电层测试结构

专利号：CN201010123607.0

公布日：2011-09-21

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

介电薄膜及介电层结构

专利号：CN201721271650.5

公布日：2018-05-11

申请人：睿力集成电路有限公司

栅极介电层保护

专利号：CN202111450561.8

公布日：2022-09-20

申请人：美光科技公司

栅极介电层保护

专利号：CN201310189992.2

公布日：2017-05-24

申请人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

双电层电容装置

专利号：CN200780049883.3

公布日：2010-03-24

申请人：ENERG2股份有限公司;华盛顿大学

双电层电容器及双电层电容器用集电体

专利号：CN201080043719.3

公布日：2012-07-11

申请人：日本贵弥功株式会社

层间介电层的形成方法

专利号：CN202111231177.9

公布日：2022-02-08

申请人：华虹半导体（无锡）有限公司

层间介电层平坦化制造方法

专利号：CN98116851.5

公布日：1999-12-22

申请人：世大积体电路股份有限公司

介电层以及形成此介电层之组合物及方法

专利号：CN200610002340.3

公布日：2007-08-01

申请人：财团法人工业技术研究院

双电层电容器单元及双电层电容器

专利号：CN201320361091.2

公布日：2014-01-22

申请人：CAP-XX有限责任公司