带纳米线的膜及纳米线的制造方法

专利号：CN202080092107.7

公布日：2022-08-12

申请人：东丽工程株式会社

一种绝缘衬底图形化直接生长石墨烯的工艺方法

专利号：CN201710246595.2

公布日：2019-07-12

申请人：北京工业大学

一种衬底上直接生长氧化锌纳米柱阵列的方法

专利号：CN201710154036.9

公布日：2019-01-01

申请人：厦门大学

一种光纤倏逝波传感器及其制备方法

专利号：CN201710625729.1

公布日：2017-11-28

申请人：山东师范大学

一种在各种基底上直接生长石墨烯的方法

专利号：CN201010191154.5

公布日：2011-11-30

申请人：中国科学院物理研究所

一种基于锑快门开关的无失配II类超晶格结构及制备方法

专利号：CN202010126548.6

公布日：2020-06-02

申请人：中国科学院上海技术物理研究所

一种基于锑快门开关的无失配II类超晶格结构

专利号：CN202020223057.9

公布日：2020-08-07

申请人：中国科学院上海技术物理研究所

在氧化物绝缘衬底上类直接生长大面积石墨烯的工艺方法

专利号：CN201810455783.0

公布日：2020-07-03

申请人：北京工业大学

一种改善非金属衬底上直接生长的石墨烯质量的方法

专利号：CN201610144523.2

公布日：2018-03-09

申请人：北京工业大学

一种切割面直接生长制备CVD单晶金刚石的工艺

专利号：CN202210747143.3

公布日：2023-08-22

申请人：中南钻石有限公司

一种柔性X射线传感器闪烁体层的直接生长方法

专利号：CN201711063789.5

公布日：2018-05-08

申请人：上海奕瑞光电子科技股份有限公司

一种在二氧化硅气凝胶颗粒表面直接生长超疏水碳纳米管层的简易方法

专利号：CN201711112028.4

公布日：2019-08-02

申请人：东北石油大学

金属催化直接生长纳米碳负载金属单原子催化剂的方法

专利号：CN202211072883.8

公布日：2022-12-06

申请人：南开大学

用XPS计算石墨层厚度和测量硅碳化物含量的方法

专利号：CN202110333720.X

公布日：2021-11-30

申请人：三星电子株式会社

一种高温石墨烯基底上直接生长Ge量子点的方法

专利号：CN201710519733.X

公布日：2017-11-07

申请人：云南大学