一种提高晶闸管高电压和大电流耐量的短基区结构

专利号：CN201120093276.0

公布日：2011-11-02

申请人：启东吉莱电子有限公司

门极换流晶闸管的元胞结构、制备方法及门极换流晶闸管

专利号：CN202010575741.8

公布日：2022-09-09

申请人：株洲中车时代半导体有限公司

一种提高晶闸管高电压和大电流耐量的短基区结构及其生产方法

专利号：CN201110081666.0

公布日：2011-08-17

申请人：启东吉莱电子有限公司

一种台面结构铝硼扩散工艺的可控硅芯片

专利号：CN202020816530.4

公布日：2020-10-27

申请人：江西萨瑞微电子技术有限公司

一种门极换流晶闸管及其制备方法

专利号：CN201611205266.5

公布日：2020-07-03

申请人：株洲中车时代电气股份有限公司

半导体放电管半导体芯片

专利号：CN01126802.6

公布日：2003-04-09

申请人：吴平靖

半导体放电管半导体芯片

专利号：CN01253759.4

公布日：2002-08-28

申请人：吴平靖

具有高通流能力的SiC双HEJ-LTT及制造方法

专利号：CN202111533149.2

公布日：2022-12-27

申请人：西安理工大学

一种可控硅隔离墙和短基区同步扩散结构及方法

专利号：CN202010579367.9

公布日：2022-12-09

申请人：济宁东方芯电子科技有限公司

一种可控硅芯片及其制造方法

专利号：CN201910679982.4

公布日：2023-06-20

申请人：浙江里阳半导体有限公司

低结电容过压保护晶闸管器件芯片及其生产方法

专利号：CN200910301945.6

公布日：2009-11-25

申请人：启东市捷捷微电子有限公司

一种采用异质结结构的可控硅及其制造方法

专利号：CN201710365079.1

公布日：2019-10-29

申请人：富芯微电子有限公司

一种低导通压降的晶闸管芯片

专利号：CN201621257549.X

公布日：2017-05-24

申请人：安徽省祁门县黄山电器有限责任公司

高温高压的钳位保护的器件结构及制造方法

专利号：CN202110307360.6

公布日：2022-05-24

申请人：江苏新顺微电子股份有限公司

一种带有过压斩波特性的可控硅芯片及其制备方法

专利号：CN201910313691.3

公布日：2019-07-30

申请人：江苏捷捷微电子股份有限公司