一种砷化镓单晶晶体及其制备方法

专利号：CN202210403538.1

公布日：2022-07-08

申请人：山西中科晶电信息材料有限公司

一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的新掺杂工艺及其设备

专利号：CN201310510132.4

公布日：2014-01-29

申请人：北京华进创威电子有限公司

一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的设备

专利号：CN201320662632.5

公布日：2014-04-23

申请人：北京华进创威电子有限公司

多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法

专利号：CN201510659806.6

公布日：2015-12-09

申请人：云南鑫耀半导体材料有限公司

一种砷化镓单晶生长装置及生长方法

专利号：CN202011439182.4

公布日：2021-02-12

申请人：广东先导先进材料股份有限公司

一种砷化镓单晶生长装置

专利号：CN202022945434.2

公布日：2021-10-26

申请人：广东先导先进材料股份有限公司

一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的掺杂工艺

专利号：CN201310315978.2

公布日：2013-11-20

申请人：新乡市神舟晶体科技发展有限公司

一种砷化镓单晶的表面清洁装置

专利号：CN202222357070.5

公布日：2023-02-03

申请人：南通富电半导体材料科技有限公司;如皋市化合物半导体产业研究所;江苏秦烯新材料有限公司

半绝缘双面抛光微波晶片

专利号：CN201510622326.2

公布日：2016-01-06

申请人：江苏中科晶元信息材料有限公司

半绝缘双面抛光微波晶片

专利号：CN201520752951.4

公布日：2016-01-06

申请人：江苏中科晶元信息材料有限公司

一种斜切砷化镓单晶光、热探测器

专利号：CN201310300137.4

公布日：2013-10-23

申请人：河北大学

一种低亮暗点的4和6英寸半绝缘砷化镓抛光片制备方法

专利号：CN201911061684.5

公布日：2021-02-23

申请人：中国电子科技集团公司第四十六研究所

一种硅掺杂砷化镓单晶直拉炉

专利号：CN201420358308.9

公布日：2014-11-05

申请人：陈淑仙

肖特基蓝紫光探测器及其制备方法

专利号：CN201710613015.9

公布日：2020-07-10

申请人：南方科技大学

一种砷化镓物料的清洗工艺

专利号：CN202110104994.1

公布日：2023-03-24

申请人：威科赛乐微电子股份有限公司