一种基于硒氧化铋/硒化铟异质结的光电探测器及其制备方法和应用

专利号：CN202210863080.8

公布日：2022-12-06

申请人：华南师范大学

一种基于硒化亚锡/硒化铟异质结的光电探测器及其制备方法

专利号：CN202010709445.2

公布日：2020-10-20

申请人：深圳大学

一种二维黑磷/硒化铟异质结的制备方法

专利号：CN202210063878.4

公布日：2022-04-26

申请人：深圳大学

一种利用硒化亚锡纳米晶进行表面修饰的硒化铟光电探测器及其制备方法

专利号：CN202110442127.9

公布日：2022-11-01

申请人：深圳大学

一种制备硒化钨/硒化铟二维垂直异质结的方法

专利号：CN202310147363.7

公布日：2023-05-16

申请人：湘潭大学

基于二维硒化铟和黑磷的范德瓦尔斯异质结的光探测器及其制备

专利号：CN201810226345.7

公布日：2018-08-24

申请人：齐鲁工业大学

一种硒化铟/硒化锡二元异质结纳米材料及其制备方法和应用

专利号：CN202310676501.0

公布日：2023-09-29

申请人：南华大学

一种改善硒化锑界面和能带结构的方法及硒化锑太阳能电池

专利号：CN202110042108.7

公布日：2022-10-21

申请人：河北大学

一种基于GaSe/InSe异质结的光存储、电存储复合型器件及其制备方法

专利号：CN202111144415.2

公布日：2021-12-31

申请人：哈尔滨工业大学

异质结纳米材料、电子传输薄膜和显示器件

专利号：CN202111220878.2

公布日：2023-02-03

申请人：广东聚华印刷显示技术有限公司

基于体异质结结构吸光层的高效铜铟镓硒薄膜光电池

专利号：CN201510039608.X

公布日：2015-05-06

申请人：苏州瑞晟纳米科技有限公司

一种NIP异质结太阳能电池及其制造方法

专利号：CN202110235747.5

公布日：2021-06-18

申请人：北京交通大学

基于硒化铟/硅的光电探测器及制备方法

专利号：CN201611089265.9

公布日：2017-05-10

申请人：浙江大学

中空多壳层含Sn金属硒化物@碳异质结及其应用

专利号：CN202210492727.0

公布日：2023-09-26

申请人：合肥工业大学

一种石墨烯/二硒化钯/硅异质结自驱动光电探测器

专利号：CN202010164766.9

公布日：2022-04-01

申请人：电子科技大学