包含碱金属和第二金属的金属层

专利号：CN201680065408.4

公布日：2018-07-17

申请人：诺瓦尔德股份有限公司

第二表面金属化法

专利号：CN200780042178.0

公布日：2009-09-16

申请人：麦克德米德有限公司

第二层协议层的无速率译码

专利号：CN202180060229.2

公布日：2023-06-13

申请人：高通股份有限公司

第二层协议层的无速率译码

专利号：CN202180060285.6

公布日：2023-05-09

申请人：高通股份有限公司

包含第一和第二亚层的定向层

专利号：CN02820337.2

公布日：2005-01-19

申请人：荷兰聚合物学会基金会

集成电路

专利号：CN202010368022.9

公布日：2021-07-16

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

第二层交换和对第二层帧扩展虚拟局域网标签的处理方法

专利号：CN200310113212.2

公布日：2004-05-26

申请人：日本电气株式会社

带有具有锌-第二金属-铜复合层的通孔的半导体器件

专利号：CN202080017522.6

公布日：2021-10-15

申请人：德克萨斯仪器股份有限公司

一种芯片以及电子设备

专利号：CN201711456835.8

公布日：2019-07-05

申请人：华为技术有限公司

牛顿第二定律层式分析演示仪

专利号：CN02213136.1

公布日：2002-12-25

申请人：杭清平

第二层交换网络系统

专利号：CN200480042251.0

公布日：2007-03-07

申请人：三菱电机株式会社;独立行政法人情报通信研究机构

无纺第二层地毯底布

专利号：CN200380107274.0

公布日：2006-12-13

申请人：帕里莫集团有限公司

第二视图

专利号：CN201210193237.7

公布日：2017-08-29

申请人：Z124公司

半导体发光装置

专利号：CN201610012015.9

公布日：2019-06-14

申请人：阿尔发得株式会社

磁存储器和制造磁存储器的方法

专利号：CN201480076776.X

公布日：2019-07-26

申请人：东芝存储器株式会社;SK海力士公司