基于石墨烯-硅波导的带宽可调光带通滤波器

专利号：CN201810477685.7

公布日：2021-10-08

申请人：宁波大学

一种基于绝缘体岛上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法

专利号：CN201511017174.X

公布日：2016-03-09

申请人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

绝缘衬底上的硅材料顶硅层杨氏模量的测试结构

专利号：CN201310184389.5

公布日：2013-08-14

申请人：东南大学

绝缘衬底上的硅材料顶硅层杨氏模量的测试结构

专利号：CN201320271904.9

公布日：2013-10-16

申请人：东南大学

一种基于图形化绝缘体上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法

专利号：CN201511018014.7

公布日：2016-03-23

申请人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

一种基于绝缘体岛上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法

专利号：CN201511018026.X

公布日：2016-06-01

申请人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

绝缘体上硅及其制备工艺

专利号：CN200610028767.0

公布日：2008-01-09

申请人：上海新傲科技有限公司;国际O&A半导体制造有限公司

绝缘涂料、电绝缘层、复合非晶纳米晶带材及制备方法

专利号：CN202211136526.3

公布日：2022-11-08

申请人：上海大学

具有基底接触的绝缘层上有硅的结构

专利号：CN01110319.1

公布日：2002-11-13

申请人：华邦电子股份有限公司

有机硅导热绝缘片及其制备方法

专利号：CN201510191264.4

公布日：2018-08-03

申请人：深圳市安品有机硅材料有限公司

硅粉基导热绝缘体

专利号：CN00105749.9

公布日：2004-04-28

申请人：阎宝连

一种具有双极应力的绝缘体上硅结构及其制造方法

专利号：CN201810286263.1

公布日：2021-04-02

申请人：上海华力微电子有限公司

具有不同晶向硅层的绝缘体上硅半导体装置以及形成该绝缘体上硅半导体装置的方法

专利号：CN200580035898.5

公布日：2007-09-26

申请人：先进微装置公司

一种晶圆结构的制造方法

专利号：CN201910537572.6

公布日：2021-01-22

申请人：武汉新芯集成电路制造有限公司

具有硅通孔结构的半导体器件

专利号：CN201220604325.7

公布日：2013-06-05

申请人：中国科学院深圳先进技术研究院