制造集成电路的方法

专利号：CN201711284903.7

公布日：2019-01-25

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

虚拟栅极及具有金属栅极的半导体器件结构的制备方法

专利号：CN201910661868.9

公布日：2023-07-14

申请人：芯恩（青岛）集成电路有限公司

去除虚拟栅极残留的方法

专利号：CN201410051757.3

公布日：2015-08-19

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

一种半导体器件及其制备方法

专利号：CN201210477217.2

公布日：2014-06-04

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

一种用于虚拟栅极的氮化硅制备方法

专利号：CN201510703870.X

公布日：2018-09-04

申请人：上海华力微电子有限公司

半导体元件及其制造方法

专利号：CN202210106735.7

公布日：2022-07-22

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

一种半导体器件的制造方法和半导体器件

专利号：CN201710995807.7

公布日：2021-02-19

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

一种金属栅极结构及其制备方法

专利号：CN201410016255.7

公布日：2018-07-10

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

液晶显示面板和使用所述液晶显示面板的液晶显示装置

专利号：CN201510873857.9

公布日：2019-06-04

申请人：乐金显示有限公司

半导体器件制作方法、半导体器件及电子装置

专利号：CN201510086502.5

公布日：2019-06-28

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

半导体装置

专利号：CN201810186983.0

公布日：2023-05-12

申请人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社

在FinFET器件上形成离子注入侧墙保护层的方法

专利号：CN201410403737.8

公布日：2014-12-03

申请人：上海华力微电子有限公司

半导体器件及其制作方法、电子装置

专利号：CN201610633429.3

公布日：2021-04-23

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

用作互连的虚拟栅极及其制法

专利号：CN201610404954.8

公布日：2018-06-01

申请人：格罗方德半导体公司

半导体器件及其制备方法

专利号：CN202310828710.2

公布日：2023-09-15

申请人：长鑫存储技术有限公司