行锤击刷新命令

专利号：CN201710590341.2

公布日：2021-11-30

申请人：英特尔公司

半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统

专利号：CN202211609158.X

公布日：2023-10-17

申请人：三星电子株式会社

半导体存储器装置和包括其的存储器系统

专利号：CN202210857130.1

公布日：2023-01-24

申请人：三星电子株式会社

行锤击防御方法、装置及内存控制器

专利号：CN202211659657.X

公布日：2023-04-28

申请人：北京轩宇空间科技有限公司

半导体存储器、刷新方法和电子设备

专利号：CN202210370026.X

公布日：2023-10-24

申请人：长鑫存储技术有限公司

高速缓存辅助式行锤击缓解

专利号：CN202310045889.4

公布日：2023-07-25

申请人：美光科技公司

用于控制行锤击的存储器件及方法

专利号：CN202211409306.3

公布日：2023-06-09

申请人：三星电子株式会社

行锤击刷新命令

专利号：CN201380028047.2

公布日：2017-08-25

申请人：英特尔公司

具有存储器过程反馈的设备

专利号：CN202211602248.6

公布日：2023-07-04

申请人：美光科技公司

半导体存储器装置及其操作方法

专利号：CN202211323041.5

公布日：2023-05-12

申请人：三星电子株式会社

减轻行锤击的存储器装置和使用其的半导体系统

专利号：CN202110570414.8

公布日：2022-05-10

申请人：爱思开海力士有限公司

存储器控制器和包括该存储器控制器的存储器系统

专利号：CN202211378100.9

公布日：2023-05-09

申请人：三星电子株式会社

存储器装置、存储器系统和刷新存储器装置的方法

专利号：CN201910184820.3

公布日：2019-11-19

申请人：三星电子株式会社

执行锤击刷新操作和关联操作的存储器设备和存储器系统

专利号：CN201711128750.7

公布日：2023-06-06

申请人：三星电子株式会社

存储系统

专利号：CN202111482681.6

公布日：2022-06-14

申请人：爱思开海力士有限公司