一种NAND闪存结构及其制作方法

专利号：CN202111656825.5

公布日：2022-04-12

申请人：上海华力微电子有限公司

一种SONOS存储结构及其制造方法

专利号：CN201811444528.2

公布日：2022-01-04

申请人：上海华力微电子有限公司

集成电路和用于形成集成电路的方法

专利号：CN202010897164.4

公布日：2021-04-02

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

半导体器件

专利号：CN201110278110.0

公布日：2012-04-04

申请人：株式会社半导体能源研究所

半导体器件

专利号：CN201610335245.9

公布日：2018-09-21

申请人：株式会社半导体能源研究所

非易失性存储器及其制造方法

专利号：CN201910808137.2

公布日：2023-04-18

申请人：物联记忆体科技股份有限公司

非挥发性存储器及其制造方法与操作方法

专利号：CN200610005893.4

公布日：2007-07-25

申请人：力晶半导体股份有限公司

制造集成电路的方法

专利号：CN201711284903.7

公布日：2019-01-25

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

快闪存储单元、快闪存储单元的制造方法及其操作方法

专利号：CN03107883.4

公布日：2004-10-06

申请人：力晶半导体股份有限公司

具有单层栅极的非易失性存储装置

专利号：CN201510552805.1

公布日：2020-10-30

申请人：爱思开海力士有限公司

一种1.5T SONOS存储器结构及制造方法

专利号：CN201911100281.7

公布日：2020-02-28

申请人：上海华力微电子有限公司

存储器单元、半导体集成电路装置及半导体集成电路装置的制造方法

专利号：CN201680023931.0

公布日：2019-07-09

申请人：株式会社佛罗迪亚

具有选择晶体管的电可擦可编程只读存储器及其制造方法

专利号：CN200410069850.3

公布日：2005-02-09

申请人：三星电子株式会社

一种半导体存储器件及其制备方法

专利号：CN201710325421.5

公布日：2019-11-26

申请人：上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司

非易失性存储器及其制造方法

专利号：CN201910431266.4

公布日：2023-04-18

申请人：物联记忆体科技股份有限公司