PMOS管衬底选择电路

专利号：CN201410325012.1

公布日：2014-11-05

申请人：刘银

闪存的位线选择管电路

专利号：CN201310299177.1

公布日：2017-06-06

申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

低压MOS管选择电路及低压MOS管

专利号：CN202222297276.3

公布日：2023-03-14

申请人：佛山市尼博微电子有限公司

位线选择晶体管布局结构

专利号：CN200610154340.5

公布日：2007-07-25

申请人：旺宏电子股份有限公司

一种非易失性存储器及其验证读取方法

专利号：CN202110302047.3

公布日：2022-01-04

申请人：长江存储科技有限责任公司

非易失性存储器件及其制造方法和操作方法

专利号：CN201610109630.1

公布日：2016-07-06

申请人：海力士半导体有限公司

非易失性存储器件及其制造方法和操作方法

专利号：CN201210052965.6

公布日：2012-09-05

申请人：海力士半导体有限公司

一种SONOS存储结构及其制造方法

专利号：CN201811444528.2

公布日：2022-01-04

申请人：上海华力微电子有限公司

3D SONOS存储器结构及工艺方法

专利号：CN202111344835.5

公布日：2022-03-15

申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

一种1.5T SONOS存储器结构及制造方法

专利号：CN201911100281.7

公布日：2020-02-28

申请人：上海华力微电子有限公司

终端功能管理方法、终端和存储介质

专利号：CN201911040081.7

公布日：2021-05-04

申请人：中兴通讯股份有限公司

存储器阵列

专利号：CN202210149566.5

公布日：2022-05-31

申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

非易失性存储器件及其编程、读取和擦除方法

专利号：CN200710089844.8

公布日：2008-05-07

申请人：三星电子株式会社

在编程期间降低NAND串选择栅极电压的非易失性存储装置

专利号：CN201380063766.8

公布日：2019-06-11

申请人：桑迪士克科技有限责任公司

SONOS闪存存储器的制造方法

专利号：CN201610822409.0

公布日：2017-01-04

申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司