半导体器件

专利号：CN202111052909.8

公布日：2021-12-14

申请人：深圳市时代速信科技有限公司

一种提高功率芯片表面电流均匀性的打线方法

专利号：CN202010557344.8

公布日：2020-09-11

申请人：无锡电基集成科技有限公司

一种提高功率芯片表面电流均匀性的打线结构

专利号：CN202021142127.4

公布日：2021-01-08

申请人：无锡电基集成科技有限公司

LDMOS器件及其制造方法

专利号：CN201911069541.9

公布日：2020-04-24

申请人：成都芯源系统有限公司

低电容低RC环绕接触

专利号：CN202180084899.8

公布日：2023-08-15

申请人：国际商业机器公司

半导体装置

专利号：CN201710073456.4

公布日：2021-06-04

申请人：台达电子工业股份有限公司

半导体器件中的金属至源极/漏极插塞的间隙图案化

专利号：CN202110019008.2

公布日：2021-08-06

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

氮化镓MISHEMT结构

专利号：CN202020496854.4

公布日：2020-09-08

申请人：深圳镓华微电子有限公司

一种具有新型源漏场板结构的HEMT器件及制备方法

专利号：CN202110965645.9

公布日：2023-09-29

申请人：华南理工大学

LDMOS器件、LDMOS器件制造方法及芯片

专利号：CN202211205608.9

公布日：2023-01-17

申请人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司

双梯形槽保护梯形槽碳化硅MOSFET器件及制造方法

专利号：CN202111302550.5

公布日：2022-12-13

申请人：深圳真茂佳半导体有限公司

半导体结构及其形成方法

专利号：CN202310442401.1

公布日：2023-10-13

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

晶体管的形成方法

专利号：CN201510292729.5

公布日：2017-01-04

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

半导体结构

专利号：CN202110856070.7

公布日：2022-04-12

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

氮化镓MISHEMT的制作方法以及结构

专利号：CN202010265918.4

公布日：2020-06-26

申请人：深圳镓华微电子有限公司