降低铜电镀工艺中边缘效应的方法及铜互连结构制造方法

专利号：CN201110126350.9

公布日：2012-11-21

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

太阳能电池及其制造方法、太阳能电池模块、以及布线板

专利号：CN201680007769.3

公布日：2020-02-14

申请人：株式会社钟化

一种切割准单晶用籽晶的方法及其装置

专利号：CN201210243256.6

公布日：2012-11-14

申请人：乐山新天源太阳能科技有限公司

用于高密度电感器的薄膜结构和晶片级封装中的重分布

专利号：CN201280038455.1

公布日：2014-04-09

申请人：弗利普芯片国际有限公司

柱籽晶沉积处理

专利号：CN200880004533.X

公布日：2010-01-20

申请人：丘费尔资产股份有限公司

一种在沟槽内填充金属的方法和一种沟槽结构

专利号：CN202010080267.1

公布日：2021-08-13

申请人：长江存储科技有限责任公司

一种碳化硅籽晶的固定结构

专利号：CN202122297626.1

公布日：2022-01-28

申请人：浙江大学杭州国际科创中心

一种生长高质量SiC单晶的籽晶处理方法

专利号：CN201110414436.1

公布日：2013-06-19

申请人：北京有色金属研究总院

一种籽晶夹持器

专利号：CN201420483356.0

公布日：2015-04-08

申请人：江西匀晶光电技术有限公司

在铜籽晶层上电沉积金以形成金金属化结构的方法

专利号：CN201510600213.2

公布日：2018-10-19

申请人：英飞凌科技奥地利有限公司

半导体封装结构及其制造方法

专利号：CN201610051823.6

公布日：2016-08-17

申请人：东琳精密股份有限公司

半导体器件制造方法以及半导体器件

专利号：CN201210068463.2

公布日：2017-08-08

申请人：瑞萨电子株式会社

形成互连结构的方法及其形成的互连结构

专利号：CN200710135957.7

公布日：2007-09-19

申请人：国际商业机器公司

形成金属－绝缘体－金属电容器的方法及其形成的电容器

专利号：CN200510078339.4

公布日：2006-01-18

申请人：三星电子株式会社

铜金属化工艺

专利号：CN201510144461.0

公布日：2016-11-23

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司