半导体结构及其形成方法

专利号：CN201811072225.2

公布日：2020-03-24

申请人：长鑫存储技术有限公司

半导体结构

专利号：CN201821503293.5

公布日：2019-04-19

申请人：长鑫存储技术有限公司

插塞结构的制作方法和插塞结构

专利号：CN200810204556.7

公布日：2010-06-23

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

半导体器件及其钨塞填充方法

专利号：CN201110348659.2

公布日：2013-05-08

申请人：无锡华润上华科技有限公司

一种高深宽比微细电火花阵列电极的制备方法

专利号：CN201510209963.7

公布日：2015-09-16

申请人：苏州含光微纳科技有限公司

一种聚酰亚胺结合铜柱元件的加工方法

专利号：CN202010300158.6

公布日：2020-07-24

申请人：绍兴同芯成集成电路有限公司

三维NAND中的金属钨栅的制造方法

专利号：CN201711140467.6

公布日：2018-05-01

申请人：长江存储科技有限责任公司

IGBT器件的制造方法及IGBT器件

专利号：CN202210515987.5

公布日：2022-06-14

申请人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司

半导体装置的制造方法

专利号：CN201910104443.8

公布日：2019-11-05

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

一种降低通孔电阻的金属互联结构及其形成方法

专利号：CN201110235264.1

公布日：2012-05-02

申请人：上海华力微电子有限公司

一种镍掺杂和表面氟化共改性的氧化钨光阳极及其制备方法

专利号：CN202310229763.2

公布日：2023-06-09

申请人：湘潭大学

一种单晶二硒化钨单分子层薄膜的制备方法

专利号：CN202110287807.8

公布日：2021-06-29

申请人：四川大学

金属钨的填充方法

专利号：CN201910999534.2

公布日：2020-02-14

申请人：长江存储科技有限责任公司

一种开窗孔双面电镀厚铜膜

专利号：CN202010641709.5

公布日：2022-03-29

申请人：绍兴同芯成集成电路有限公司

选择性电镀半导体器件的输入/输出焊盘的方法

专利号：CN200410092929.8

公布日：2005-06-22

申请人：国际商业机器公司