集成电路

专利号：CN202210026909.9

公布日：2022-07-19

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

一种基于反铁电陶瓷材料的脉冲方波产生方法

专利号：CN202210682427.9

公布日：2022-08-30

申请人：西安交通大学

铁电随机存取存储器(FeRAM)器件及其形成方法

专利号：CN202110256000.8

公布日：2021-11-19

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

铁电畴阵列结构及其制备方法，及具有该结构的铁电膜

专利号：CN200510037511.1

公布日：2007-03-28

申请人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司

使用两步温度处理来制造薄膜铁电装置的方法

专利号：CN201580044753.5

公布日：2018-12-04

申请人：沙特基础全球技术有限公司

全铁电半导体PN结薄膜器件及其制备方法

专利号：CN202010660606.3

公布日：2022-01-28

申请人：中国科学院物理研究所

基于铁电相/反铁电相多相薄膜的铁电器件及其制备方法

专利号：CN202211152412.8

公布日：2023-01-20

申请人：西安电子科技大学

一种铁电器件及制备方法

专利号：CN202110862824.X

公布日：2023-02-07

申请人：中国科学院微电子研究所

用于侧壁应变工程的带间隔体的铁电或反铁电沟槽电容器

专利号：CN202010220099.1

公布日：2020-12-15

申请人：英特尔公司

非对称的铁电功能层阵列、铁电隧道结多值存储单元的制备方法

专利号：CN202010049246.3

公布日：2022-08-05

申请人：华中科技大学

铁电膜、铁电膜的制造方法、铁电电容器、以及铁电存储器

专利号：CN200510134103.8

公布日：2006-07-05

申请人：精工爱普生株式会社

一种铁电存储器及电子设备

专利号：CN202080104665.0

公布日：2023-07-21

申请人：华为技术有限公司;复旦大学

铁电薄膜结构以及包括该铁电薄膜结构的电子器件

专利号：CN202011319958.9

公布日：2021-09-03

申请人：三星电子株式会社

包括不对称铁电器件对的计算单元及其形成方法

专利号：CN202210126579.0

公布日：2022-07-15

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

一种极化增强的异质结型铁电神经突触器件及其制备方法

专利号：CN202210609168.7

公布日：2022-09-20

申请人：复旦大学