铌酸锂半导体结构

专利号：CN202111403828.8

公布日：2022-10-25

申请人：南开大学

铌酸锂半导体结构及其制备方法

专利号：CN202011438154.0

公布日：2021-12-17

申请人：南开大学

一种X切铌酸锂晶圆正反面判定方法

专利号：CN202310759385.9

公布日：2023-09-22

申请人：济南晶正电子科技有限公司

一种铌酸锂衬底及其制造方法

专利号：CN201210232239.2

公布日：2012-10-17

申请人：杭州士兰明芯科技有限公司

一种基于双层铌酸锂薄膜的光子线脊波导倍频芯片及其制备方法

专利号：CN202110775577.X

公布日：2023-10-20

申请人：山东大学

一种制备铌酸锂表面图形的方法

专利号：CN201110245639.2

公布日：2012-01-04

申请人：中国科学院半导体研究所

一种铌酸锂晶体薄片生产工艺

专利号：CN201910665283.4

公布日：2019-11-08

申请人：浙江新泰通讯科技有限公司

一种铌酸锂陶瓷溅射靶材及其制备方法、应用

专利号：CN202211413978.1

公布日：2023-05-09

申请人：北方民族大学

一种光栅结构的铌酸锂-金-铌酸锂表面等离子激元温度传感装置

专利号：CN201510401844.1

公布日：2019-04-23

申请人：广西师范大学

一种基于内扩散和离子注入的铌酸锂波导制备方法

专利号：CN202010602370.8

公布日：2021-12-03

申请人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

一种光栅结构的铌酸锂-金-铌酸锂表面等离子激元温度传感装置

专利号：CN201520495266.8

公布日：2015-11-18

申请人：广西师范大学

铌酸锂脊波导的制作方法和光电器件

专利号：CN202211665071.4

公布日：2023-06-06

申请人：珠海光库科技股份有限公司

铌酸锂光波导芯片

专利号：CN201910776688.5

公布日：2019-12-13

申请人：易锐光电科技(安徽)有限公司;苏州易锐光电科技有限公司

铌酸锂光波导芯片

专利号：CN201921367295.0

公布日：2020-08-04

申请人：易锐光电科技（安徽）有限公司;苏州易锐光电科技有限公司

基于PFM的铌酸锂纳米畴加工及成像方法

专利号：CN201810350423.4

公布日：2020-11-27

申请人：重庆科技学院;深圳先进技术研究院