铜互连结构制作方法

专利号：CN202011145106.2

公布日：2022-08-16

申请人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司

集成电路铜互连结构的制作方法

专利号：CN200910198587.0

公布日：2011-05-11

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

铜互连结构的清洗方法

专利号：CN202110718142.1

公布日：2021-10-15

申请人：华虹半导体（无锡）有限公司

铜互连结构及其形成方法

专利号：CN201510016296.0

公布日：2018-05-04

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

铜互连结构及铜互连结构的制作方法

专利号：CN201310069905.X

公布日：2017-02-08

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

一种半导体器件的制造方法

专利号：CN201310190232.3

公布日：2014-12-03

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

降低集成电路RC延迟的方法

专利号：CN201410403716.6

公布日：2014-11-05

申请人：上海华力微电子有限公司

铜互连结构的形成方法

专利号：CN201410260910.3

公布日：2019-01-22

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

铜互连的电介质覆盖层的形成方法

专利号：CN201510418313.3

公布日：2019-05-21

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

改善铜互连技术的经时介电层击穿性能的方法

专利号：CN202310288252.8

公布日：2023-06-06

申请人：上海华力集成电路制造有限公司

一种铜互连结构及其制备方法

专利号：CN202110524519.X

公布日：2021-09-10

申请人：中国科学院微电子研究所

一种半导体器件及其制作方法

专利号：CN201610458068.3

公布日：2019-12-17

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

一种空气隙/铜互连结构的制造方法

专利号：CN201611240356.8

公布日：2017-05-03

申请人：上海集成电路研发中心有限公司

降低铜互连结构中铜的电迁移的方法及铜互连结构

专利号：CN201010144213.3

公布日：2011-10-12

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

用于铜/低k互连结构的光罩优化方法和光罩

专利号：CN201510084491.7

公布日：2019-04-09

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司