一种稀土掺杂铪基铁电材料、制备方法及半导体器件

专利号：CN201910675057.4

公布日：2019-12-03

申请人：中国科学院微电子研究所

提高铪基铁电器件耐久性的方法及铪基铁电器件

专利号：CN202211021475.X

公布日：2022-11-11

申请人：上海交通大学

一种氧化铪基铁电薄膜电容的性能优化方法

专利号：CN202310104007.7

公布日：2023-05-12

申请人：湘潭大学

基于铪基铁电电容的非易失性SRAM单元

专利号：CN202111239678.1

公布日：2022-03-22

申请人：宁波大学

氧化铪基铁电薄膜和氧化铪基铁电薄膜制备方法

专利号：CN202010941513.8

公布日：2023-04-07

申请人：湘潭大学

基于范德华力作用的氧化铪基铁电薄膜结构及其制备方法

专利号：CN202210917511.4

公布日：2022-10-11

申请人：湘潭大学

一种铪基铁电存储器及其制备方法

专利号：CN202110683895.3

公布日：2022-10-11

申请人：复旦大学

一种氧化铪基铁电薄膜、电容结构、晶体管及制备方法

专利号：CN202210585655.4

公布日：2022-09-02

申请人：湘潭大学

一种增强铪基铁电薄膜极化的热再唤醒操作方法及系统

专利号：CN202310553633.4

公布日：2023-08-04

申请人：华中科技大学

一种氧化铪基铁电薄膜的制备方法

专利号：CN202010424255.6

公布日：2020-08-18

申请人：湘潭大学

一种氧化铪基铁电薄膜的制备方法

专利号：CN201911163490.6

公布日：2020-03-17

申请人：中国科学院微电子研究所

一种铁电电容器和存储单元及其制备方法

专利号：CN202011146593.4

公布日：2023-06-09

申请人：湘潭大学

一种正交相氧化铪基铁电薄膜及其制备方法和应用

专利号：CN202110960953.2

公布日：2022-10-14

申请人：湘潭大学

基于氧清除技术提高氧化铪基铁电晶体管铁电性能的方法

专利号：CN202211613280.4

公布日：2023-03-14

申请人：浙江大学

一种极化增强的铁电神经突触器件及其制备方法

专利号：CN202210692657.3

公布日：2022-10-18

申请人：复旦大学